EPC FET de GaN

Resultados: 56
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Modo canal Nombre comercial
EPC FET de GaN 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP 1.748En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT Die N-Channel 1 Channel 100 V 46 A 5.2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 7.3 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP 700En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

SMD/SMT Die N-Channel 1 Channel 100 V 126 A 2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 20 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN 14.446En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

SMD/SMT QFN-5 N-Channel 1 Channel 100 V 101 A 1.2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 17 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN eGaN FET, 50 V, 8.5 milliohm at 5 V, LGA 1.2 x 1.5 mm 4.336En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT LGA-4 N-Channel 1 Channel 50 V 9.6 A 8.5 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 3 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN EPC eGaN FET, 200 V, 5 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm FCQFN 14.983En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

SMD/SMT FCQFN-7 N-Channel 1 Channel 200 V 133 A 5 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 21 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN EPC eGaN FET,150 V, 2.2 milliohm typ at 5 V, QFN 3 x 5mm 4.581En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 150 V 133 A 2.2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 22 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 3.1 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN 14.499En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 100 V 63 A 3.1 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 12.3 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN EPC eGaN FET,200 V, 10 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN 7.559En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 200 V 63 A 10 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 10.1 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN EPC eGaN FET,40 V, 1.1 milliohm at 5 V, LGA 6.05 X 2.3 2.988En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

SMD/SMT LGA-30 N-Channel 1 Channel 40 V 90 A 1.1 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 25 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 2.2 milliohm at 5 V, LGA 4.45 x 2.3 980En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

SMD/SMT LGA-22 N-Channel 1 Channel 100 V 64 A 2.2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 18 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5 2.423En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 100 V 29 A 6 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 5.7 nC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN EPC eGaN FET,80 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 1.95 3.697En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

SMD/SMT LGA-8 N-Channel 1 Channel 80 V 60 A 3.2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 10.5 nC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN eGaN FET, 80V, 11milliohm at 5 V, 1.5 x 1.5mm BGA 12.369En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT BGA-9 N-Channel 1 Channel 80 V 8.2 A 11 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN EPC eGaN FET,150 V, 6 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN 5.814En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 150 V 63 A 6 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 11.7 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 3.3 milliohm typ at 5 V, LGA 2.5 x 1.5 1.424En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 100 V 29 A 3.3 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 8.5 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN EPC eGaN FET,80 V, 2.2 milliohm at 5 V, LGA 6.05 x 2.3 4.764En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 500

SMD/SMT LGA-30 N-Channel 1 Channel 80 V 90 A 2.2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN EPC eGaN FET,200 V, 8 milliohm at 5 V, LGA 4.6 x 1.6 12.108En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 200 V 32 A 8 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 13.6 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN EPC eGaN FET,40 V, 16 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 1.1 8.988En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT LGA-5 N-Channel 1 Channel 40 V 10 A 16 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 2 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN EPC eGaN FET,60 V, 45 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9 9.018En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT BGA-4 N-Channel 1 Channel 60 V 1.7 A 45 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 880 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 73 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9 12.334En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT BGA-4 N-Channel 1 Channel 100 V 1.7 A 73 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 700 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 550 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9 18.465En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT BGA-4 N-Channel 1 Channel 100 V 1.7 A 550 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 115 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 3300 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9 11.846En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT BGA-4 N-Channel 1 Channel 100 V 500 mA 3.3 Ohms 6 V 2.5 V 44 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN EPC eGaN FET,15 V, 30 milliohm at 5 V, BGA 0.85 x 1.2 4.187En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT BGA-6 N-Channel 1 Channel 15 V 3.4 A 30 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 745 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN EPC eGaN FET, 350 V, 80 milliohm at 5 V, BGA 1.95 x 1.95 2.310En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT BGA-12 N-Channel 1 Channel 350 V 6.3 A 80 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 2.9 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 25 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85 4.500En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT BGA-6 N-Channel 1 Channel 100 V 1.7 A 25 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 1.8 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET