EPC2307

Name: EPC EPC2307
Brand: EPC
SKU: 65-EPC2307
Price: 4.37 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

65-EPC2307

Fabr. N.º:

EPC2307

Fabr.:

EPC

Descripción:

FET de GaN EPC eGaN FET,200 V, 10 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN

Ciclo de vida:

Nuevo en Mouser

Hoja de datos:

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	2,91 €	29,10 €
	2,08 €	208,00 €
	1,98 €	990,00 €
	1,87 €	1.870,00 €
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	1,68 €	5.040,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	EPC
Categoría de producto:	FET de GaN
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	QFN-7
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	200 V
Id: corriente de drenaje continuo:	63 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	10 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	6 V, - 4 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V
Qg (carga de compuertas):	10.1 nC
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	eGaN FET
Marca:	EPC
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Sensibles a la humedad:	Yes
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	Power Transistor
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Peso unitario:	30,300 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290040
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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EPC2307

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Descripción: FET de GaN EPC eGaN FET,200 V, 10 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN

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