EPC2014C

Name: EPC EPC2014C
Brand: EPC
SKU: 65-EPC2014C
Price: 1.89 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

65-EPC2014C

Fabr. N.º:

EPC2014C

Fabr.:

EPC

Descripción:

FET de GaN EPC eGaN FET,40 V, 16 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 1.1

Ciclo de vida:

Nuevo en Mouser

Hoja de datos:

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	0,62 €	620,00 €
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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	EPC
Categoría de producto:	FET de GaN
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	LGA-5
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	40 V
Id: corriente de drenaje continuo:	10 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	16 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	6 V, - 4 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V
Qg (carga de compuertas):	2 nC
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	eGaN FET
Marca:	EPC
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	Power Transistor
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad del paquete de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Peso unitario:	3,300 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290040
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
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EPC2014C

Fabr.: EPC

Descripción: FET de GaN EPC eGaN FET,40 V, 16 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 1.1

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FET de GaN EPC eGaN FET,40 V, 16 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 1.1