STMicroelectronics IGBT

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Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Empaquetado / Estuche Estilo de montaje Configuración Voltaje colector-emisor VCEO máx. Voltaje de saturación colector-emisor Voltaje puerta-emisor máximo Corriente continua del colector a 25 C Pd (disipación de potencia) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Serie Cualificación Empaquetado
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pa

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 145 A 441 W - 55 C + 150 C HB2 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 20 A, high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 40 A 147 W - 55 C + 175 C HB2 Tube
STMicroelectronics IGBT 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGB 199En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-3P Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 40 C + 175 C STGWT60H65FB Tube
STMicroelectronics IGBT 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V - 20 V, 20 V 125 W - 55 C + 150 C STGP19NC60KD Tube
STMicroelectronics IGBT N-chnl 600V-20A Med Freq
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.55 V - 20 V, 20 V 40 A 130 W - 55 C + 150 C STGP19NC60SD Tube
STMicroelectronics IGBT Trench Gate IGBT M Series 650V 4A
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 8 A 68 W - 55 C + 175 C STGP4M65DF2 Tube
STMicroelectronics IGBT N-channel 600 V, 7 A very fast IGBT
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.9 V - 20 V, 20 V 15 A 56 W - 55 C + 150 C STGP6NC60HD Tube
STMicroelectronics IGBT 650V 40A Trench Gate Field-Stop IGBT
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGW40H65FB Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 1600 V, 30 A, soft-switching IH2 series IGBT

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.6 kV 1.77 V 20 V 85 A 395 W - 55 C + 175 C Tube

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 120 A 488 W - 55 C + 175 C STGWA75M65DF2 Tube

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low loss
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 16 A 167 W - 55 C + 175 C M Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate H series 650V 80A HiSpd
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-3P Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 120 A 469 W - 55 C + 175 C STGWT80H65DFB Tube

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 10 A low-loss M series IGBT in a D2PAK package No en almacén Plazo producción 15 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

Si STGB10M65DF2 Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics IGBT Automotive-grade 450 V internally clamped IGBT ESCIS 300 mJ Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

Si D2PAK-3 SMD/SMT 475 V 1.25 V - 12 V, 16 V 25 A 150 W - 55 C + 175 C STGB20N45LZAG AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss No en almacén Plazo producción 15 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 1.000
: 1.000

Si D2PAK-3 SMD/SMT Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 8 A 68 W - 55 C + 175 C STGB4M65DF2 Reel

STMicroelectronics IGBT Automotive-grade 390 V internally clamped IGBT ESCIS 180 mJ No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

Si DPAK-3 (TO-252-3) SMD/SMT Single 390 V 1.35 V - 12 V, 16 V 125 W - 55 C + 175 C STGD19N40LZ AEC-Q101 Reel
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

Si DPAK-3 (TO-252-3) SMD/SMT Single 600 V 1.5 V - 20 V, 20 V 10 A 83 W - 55 C + 175 C STGD5H60DF Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss No en almacén Plazo producción 15 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 12 A 88 W - 55 C + 175 C STGP6M65DF2 Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed No en almacén Plazo producción 15 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 1.000

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.95 V - 20 V, 20 V 14 A 88 W - 55 C + 175 C STGP7H60DF Tube
STMicroelectronics IGBT 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 2 V - 20 V, 20 V 40 A 167 W - 55 C + 175 C STGW20H60DF Tube
STMicroelectronics IGBT 1250V 20A trench gate field-stop IGBT Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.25 kV 2.55 V - 20 V, 20 V 40 A 259 W - 55 C + 175 C STGW20IH125DF Tube
STMicroelectronics IGBT 650V 60A Trench Gate Field-Stop IGBT Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 40 C + 175 C STGW60H65FB Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole Single 1.2 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 50 A 375 W - 55 C + 175 C STGWA25H120DF2 Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 600
Múlt.: 600

Si Through Hole Single 1.2 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 50 A 375 W - 55 C + 175 C STGWA25H120F2 Tube

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGWA40H65FB Tube