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STGWT80H65DFB

Name: STMicroelectronics STGWT80H65DFB
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWT80H65DFB
Price: 5.98 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

511-STGWT80H65DFB

Fabr. N.º:

STGWT80H65DFB

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

IGBT Trench gate H series 650V 80A HiSpd

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	IGBT
RoHS:
Tecnología:	Si
Empaquetado / Estuche:	TO-3P
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Voltaje colector-emisor VCEO máx.:	650 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.6 V
Voltaje puerta-emisor máximo:	- 20 V, 20 V
Corriente continua del colector a 25 C:	120 A
Pd (disipación de potencia):	469 W
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Serie:	STGWT80H65DFB
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Corriente continua del colector Ic Máx.:	80 A
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	KR
Corriente de fuga puerta-emisor:	250 nA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad del paquete de fábrica:	300
Subcategoría:	IGBTs
Peso unitario:	6,756 g

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PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

STMicroelectronics offers the newest technologies in Power MOSFETs and IGBTs. ST offers a wide portfolio of MOSFETs and IGBTs tailored to specific applications, targeting SMPS, lighting, motor control, and varied industrial applications. ST's portfolio includes high-voltage super-junction MOSFETs, trench-gate field-stop IGBTs for hard and soft switched topologies, and low-voltage trench-based MOSFETs for power conversion and BLDC motor drives. ST's 1200V SiC MOSFETs combine a high junction temperature rating of 200°C with a very low R_DS(on) area (with minimal variation versus temperature) and excellent switching performance for more efficient and compact SMPS designs. M series IGBTs offer an optimized VCE(SAT) and E(off) tradeoff along with a rugged short circuit rating for motor control. Explore ST's complete offering of MOSFETs and IGBTs for any power design.

IGBT con tecnología Trench Gate Field-Stop serie 650V HB

Los IGBT con tecnología Trench Gate Field-Stop serie 650V HB de STMicroelectronics son IGBT desarrollados con una estructura avanzada Trench Gate y Field Stop propietaria. Estos dispositivos representan un equilibrio óptimo entre pérdidas de conducción y de conmutación para maximizar la eficiencia de cualquier convertidor de frecuencia. Gracias a la tecnología Trench-Gate Field-Stop de alta velocidad avanzada de ST, estos IGBT incluyen una cola de apagado de corriente de colector mínima, así como una tensión de saturación muy baja (Vce_(sat)), hasta 1,6 V (típica), para minimizar las pérdidas de energía durante la conmutación y en el encendido. Además, un coeficiente de temperatura VCE_(sat) ligeramente positivo y una distribución de parámetros muy ajustada permiten un funcionamiento más seguro en paralelo.
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