Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

¿Ve algún error?

STGW60H65FB

Name: STMicroelectronics STGW60H65FB
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGW60H65FB
Price: 4.51 EUR
Availability: OutOfStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

511-STGW60H65FB

Fabr. N.º:

STGW60H65FB

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

IGBT 650V 60A Trench Gate Field-Stop IGBT

Complete su diseño

Hoja de datos:

STGW60H65FB Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre STMicroelectronics STGW60H65FB

Disponibilidad

Existencias:: 0

Aún puede comprar este producto como pedido pendiente.

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Plazo de producción de fábrica:: 14 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	4,51 €	4,51 €
	2,55 €	25,50 €
	1,79 €	179,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	IGBT
RoHS:
Tecnología:	Si
Empaquetado / Estuche:	TO-247-3
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Voltaje colector-emisor VCEO máx.:	650 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.6 V
Voltaje puerta-emisor máximo:	- 20 V, 20 V
Corriente continua del colector a 25 C:	80 A
Pd (disipación de potencia):	375 W
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Serie:	STGW60H65FB
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Corriente continua del colector Ic Máx.:	60 A
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	SG
Corriente de fuga puerta-emisor:	250 nA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad del paquete de fábrica:	600
Subcategoría:	IGBTs
Peso unitario:	38 g

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

STGW60H65FB Hoja de datos (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

IGBT con tecnología Trench Gate Field-Stop serie 650V HB

Los IGBT con tecnología Trench Gate Field-Stop serie 650V HB de STMicroelectronics son IGBT desarrollados con una estructura avanzada Trench Gate y Field Stop propietaria. Estos dispositivos representan un equilibrio óptimo entre pérdidas de conducción y de conmutación para maximizar la eficiencia de cualquier convertidor de frecuencia. Gracias a la tecnología Trench-Gate Field-Stop de alta velocidad avanzada de ST, estos IGBT incluyen una cola de apagado de corriente de colector mínima, así como una tensión de saturación muy baja (Vce_(sat)), hasta 1,6 V (típica), para minimizar las pérdidas de energía durante la conmutación y en el encendido. Además, un coeficiente de temperatura VCE_(sat) ligeramente positivo y una distribución de parámetros muy ajustada permiten un funcionamiento más seguro en paralelo.
Más información

Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

STMicroelectronics offers the newest technologies in Power MOSFETs and IGBTs. ST offers a wide portfolio of MOSFETs and IGBTs tailored to specific applications, targeting SMPS, lighting, motor control, and varied industrial applications. ST's portfolio includes high-voltage super-junction MOSFETs, trench-gate field-stop IGBTs for hard and soft switched topologies, and low-voltage trench-based MOSFETs for power conversion and BLDC motor drives. ST's 1200V SiC MOSFETs combine a high junction temperature rating of 200°C with a very low R_DS(on) area (with minimal variation versus temperature) and excellent switching performance for more efficient and compact SMPS designs. M series IGBTs offer an optimized VCE(SAT) and E(off) tradeoff along with a rugged short circuit rating for motor control. Explore ST's complete offering of MOSFETs and IGBTs for any power design.