FET de GaN

 FET de GaN
GaN FETs are available at Mouser Electronics from industry leading manufacturers. Mouser is an authorized distributor for many GaN FET manufacturers including Infineon, MACOM, Qorvo & more. Please view our selection of GaN FETs below.
Resultados: 492
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Cualificación Nombre comercial
Navitas Semiconductor FET de GaN GaNFast BDS 650V 52mOhm TOLT 220En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 450

SMD/SMT TOLT-16 49 A - 10 V, 7 V 2.8 V 3.62 nC - 40 C + 150 C
Navitas Semiconductor FET de GaN GaNFast Discrete 650V 450mOhm PQFN 56 690En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT QFN-8 700 V 2.7 A 600 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 0.85 nC - 55 C + 150 C 25.4 W
Navitas Semiconductor FET de GaN GaNFast Discrete 650V 150mOhm PQFN 56 690En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT PQFN-8 800 V 8 A 190 mOhms - 10 V, 7 V 2.6 V 2.4 nC - 55 C + 150 C 57 W
Infineon Technologies FET de GaN CoolGaN Transistor 650 V G5 2.364En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

SMD/SMT PG-HSOF-8 HEMT 1 Channel 650 V 70 A 30 mOhms - 10 V 1.6 V 11 nC - 55 C + 150 C 236 W Enhancement CoolGaN
Qorvo FET de GaN 750W, 65V, Pre-matched, 1.2-1.4GHz, Earl 11En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT NI-780 65 V 19 A - 40 C + 85 C 400 W
MACOM FET de GaN GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt 17En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Screw Mount 440199 N-Channel 2 Channel 120 V 24 A - 3 V - 40 C + 150 C
Qorvo FET de GaN DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaN 129En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

NI-200
MACOM FET de GaN GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt 680En existencias
Mín.: 10
Múlt.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 120 V 750 mA 1.6 Ohms - 3 V
MACOM FET de GaN 500W, GaN HEMT, 50V, 2.7-3.1GHz, PULSED,
20En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Screw Mount 440217 N-Channel 150 V 24 A - 3 V - 40 C + 125 C
Qorvo FET de GaN DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz 375En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT NI-200 N-Channel 650 mA 12.5 W
MACOM FET de GaN GaN HEMT DC-8.0GHz, 10 Watt 831En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 1.5 A - 2.7 V - 40 C + 150 C
MACOM FET de GaN GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt 139En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 6 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM FET de GaN GaN HEMT VHF-3.0GHz, 30 Watt 60En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT 440196 N-Channel 120 V 7 A - 3.8 V - 40 C + 150 C 14 W
Qorvo FET de GaN DC-4GHz 15W 28-50V SSG 24dB PAE 72% GaN 244En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 50 V 700 mA - 2.8 V - 40 C + 85 C 17.5 W
MACOM FET de GaN GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt 10En existencias
Mín.: 10
Múlt.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 2 Channel 120 V 3 A 500 mOhms - 3 V
Qorvo FET de GaN Redesign of QPD1004 70En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 100

SMD/SMT DFN-8 2 Channel 145 V 3.6 A - 7 V, 2 V - 40 C + 85 C 27.6 W
Qorvo FET de GaN Redesign of QPD1011 70En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 100

SMD/SMT DFN-8 2 Channel 145 V 1.46 A - 7 V, 2 V - 40 C + 85 C 14.7 W
Qorvo FET de GaN Redesign of QPD1014 70En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 100

SMD/SMT DFN-8 2 Channel 145 V 1 A - 8 V, 2 V - 40 C + 85 C 15.8 W
Qorvo FET de GaN 1500W, 65V,GaN pre-matched, 442(+/-5) MH 2En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Qorvo FET de GaN DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN 25En existencias
19Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT NI-360 N-Channel 50 V 2.5 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 64 W
Qorvo FET de GaN 1.2-1.4GHz 500W 50V SSG 20dB GaN 16En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT RF-565 N-Channel 50 V 15 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 370 W
Qorvo FET de GaN DC-3.6GHz GaN 90W 48V 19En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 100

SMD/SMT DFN-6 48 V - 40 C
Qorvo FET de GaN DC-4GHz 10W 28-50V SSG 25dB PAE 70% GaN 52En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 50 V 400 mA - 2.8 V - 40 C + 85 C 13.5 W
Qorvo FET de GaN DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flanged 53En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

NI-200
MACOM FET de GaN 10W, 6.0GHz, GaN HEMT G28V4 (CG2H40010P) 246En existencias
120Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1