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QPD1003

Name: Qorvo QPD1003
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1003
Price: 1876.35 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

772-QPD1003

Fabr. N.º:

QPD1003

Fabr.:

Qorvo

Descripción:

FET de GaN 1.2-1.4GHz 500W 50V SSG 20dB GaN

Hoja de datos:

QPD1003 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Qorvo
Categoría de producto:	FET de GaN
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	RF-565
Polaridad de transistor:	N-Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	50 V
Id: corriente de drenaje continuo:	15 A
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	- 2.8 V
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 85 C
Pd (disipación de potencia):	370 W
Marca:	Qorvo
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	US
Kit de desarrollo:	QPD1003PCB401
Ganancia:	19.9 dB
Frecuencia operativa máxima:	1.4 GHz
Frecuencia operativa mínima:	1.2 GHz
Sensibles a la humedad:	Yes
Energía de salida:	540 W
Empaquetado:	Tray
Tipo de producto:	GaN FETs
Serie:	QPD1003
Cantidad del paquete de fábrica:	18
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	HEMT
Vgs (tensión de separación compuerta-fuente):	145 V
Alias de parte #:	1131389
Peso unitario:	104,655 g

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TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 854239099
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.