CSD87313DMS Serie MOSFET

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Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Texas Instruments MOSFET 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87313DMS 892En existencias
472Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 250

Si SMD/SMT WSON-8 N-Channel 2 Channel 30 V 17 A 5.5 mOhms - 10 V, 10 V 600 mV 28 nC - 55 C + 150 C 2.7 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFET 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87313DMST 2.497En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT WSON-8 N-Channel 2 Channel 30 V 17 A 5.5 mOhms - 10 V, 10 V 600 mV 28 nC - 55 C + 150 C 2.7 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel