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CSD87313DMST

Name: Texas Instruments CSD87313DMST
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD87313DMST
Price: 2.64 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

595-CSD87313DMST

Fabr. N.º:

CSD87313DMST

Fabr.:

Texas Instruments

Descripción:

MOSFET 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87313DMS

Hoja de datos:

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Pedido:: 472
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-,-- €

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 250)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	2,64 €	2,64 €
	1,71 €	17,10 €
	0,98 €	98,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 250)
	0,98 €	245,00 €
	0,929 €	464,50 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

Empaquetado alternativo

Fabr. N.º Ref.:

CSD87313DMS

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

1,84 €

Min:

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Fabr.:

Texas Instruments

Fabr. N.º:

CSD87313DMS

Descripción:

MOSFET 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87313DMST

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	WSON-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	30 V
Id: corriente de drenaje continuo:	17 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	5.5 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, 10 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	600 mV
Qg (carga de compuertas):	28 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	2.7 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	PH
País de difusión:	CN
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	13 ns, 13 ns
Transconductancia delantera: mín.:	149 S, 149 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	27 ns, 27 ns
Serie:	CSD87313DMS
Cantidad del paquete de fábrica:	250
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	41 ns, 41 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	9 ns, 9 ns
Peso unitario:	5,500 mg

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Atributos seleccionados: 0

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Hoja de datos

CSD87313DMST Hoja de datos

SPICE Models

CSD87313DMS PSpice Model (Rev. A)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

TI N-Channel 8-23-12

MOSFET de alimentación NexFET™ de Texas Instruments

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