2941 Transistores RF MOSFET

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Polaridad de transistor
Tecnología
Id: corriente de drenaje continuo
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Frecuencia de operación
Ganancia
Energía de salida
Temperatura operativa máxima
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Empaquetado


STMicroelectronics Transistores RF MOSFET RF PWR N-Ch MOS 175W 15dB 175MHz
Hoja de datos
33En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

N-Channel Si 20 A 130 V 175 MHz 15 dB 175 W + 200 C Screw Mount Bulk
Ampleon Transistores RF MOSFET BLF974P/SOT539/TRAY
Hoja de datos
181En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Dual N-Channel LDMOS 50 V 110 mOhms 700 MHz 25.7 dB 500 W + 225 C Screw Mount SOT539A-5 Tray
Ampleon Transistores RF MOSFET BLS9G3135L-400/SOT502/TRAY
Hoja de datos
43En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

N-Channel LDMOS 65 V 26 mOhms 3.1 GHz to 3.5 GHz 11 dB 400 W + 225 C Screw Mount SOT502A-3 Tray