CY14B108N Serie NVRAM

Resultados: 8
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Empaquetado / Estuche
Tamaño de memoria
Organización
Anchura de bus de datos
Tiempo de acceso
Tensión del suministro - Máx
Tensión del suministro - Mín
Corriente de suministro operativa
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Serie
Empaquetado
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 25ns 512K x 16 nvSRAM
Hoja de datos
496En existencias
216Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

TSOP-II-54 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108N Tray
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 45ns 512K x 16 nvSRAM
Hoja de datos
691En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

TSOP-II-54 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 45 ns 3.6 V 2.7 V 75 mA - 40 C + 85 C CY14B108N Tray
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 45ns 512K x 16 nvSRAM
Hoja de datos
302En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

FBGA-48 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108N Tray
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 25ns 512K x 16 nvSRAM
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 598
Múlt.: 598

FBGA-48 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108N Tray
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 25ns 512K x 16 nvSRAM
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 2.000
: 2.000

FBGA-48 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108N Reel
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 45ns 512K x 16 nvSRAM
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 2.000
: 2.000

FBGA-48 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108N Reel
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 25ns 512K x 16 nvSRAM
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
: 1.000

TSOP-II-54 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108N Reel
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 45ns 512K x 16 nvSRAM
Hoja de datos
Comentarios de Producto
No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
: 1.000

TSOP-II-54 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108N Reel