MOSFET de SiC

MOSFET de SiC
SiC MOSFETs are available at Mouser Electronics from industry leading manufacturers. Mouser is an authorized distributor for many SiC MOSFET manufacturers including Infineon, Microchip, Navitas Semiconductor, onsemi, ROHM Semiconductor, STMicroelectronics, Wolfspeed & more. Please view our large selection of SiC MOSFETs below.
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Cualificación
Nombre comercial

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-3L 650V
Hoja de datos
649En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 85 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 61 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET de SiC 1200V/70MOSICFETG4TO24
Hoja de datos
663En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27.5 A 91 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 217 W SiC FET
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC TO247 1.2KV 81A N-CH SIC
Hoja de datos
520En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 81 A 23.4 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 312 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC TO247 1.2KV 26A N-CH SIC
Hoja de datos
583En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 26 A 81 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 64 nC + 175 C 115 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 45mO, 650V, TOLL, T&R, Industrial
Hoja de datos
1.816En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 650 V 49 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 59 nC - 40 C + 175 C 164 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
389En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 93 A 28.6 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 133 nC - 55 C + 175 C 339 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET
Hoja de datos
1.492En existencias
1.800Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 28.8 mOhms - 4 V, + 15 V 1.8 V 160 nC - 40 C + 175 C 469 W Enhancement

IXYS MOSFET de SiC 1200V 80mOhm SiC MOSFET
Hoja de datos
4.159En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 80 mOhms - 5 V, + 20 V 2.8 V 95 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1
Hoja de datos
1.458En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 58 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V
Hoja de datos
2.422En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement EliteSiC
Microchip Technology MOSFET de SiC MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-268
Hoja de datos
217En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 59 A 35 mOhms - 10 V, + 23 V 3.25 V 178 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC 1.2kV 75mOHMS E3M AUTO AECQ101
Hoja de datos
372En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 32 A 75 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 55 nC - 55 C + 175 C 145 W Enhancement AEC-Q101
Microchip Technology MOSFET de SiC FG, SIC MOSFET, TO-247 4-LEAD
Hoja de datos
982En existencias
210Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 700 V 77 A 44 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 99 nC - 55 C + 175 C 283 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC SIC_DISCRETE
Hoja de datos
781En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 60 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 31 nC - 55 C + 175 C 150 mW Enhancement CoolSiC
Microchip Technology MOSFET de SiC MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-247-4
Hoja de datos
150En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 700 V 112 A 19 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 215 nC - 55 C + 175 C 524 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 60mO, 650V, TO-247-3, Industrial
Hoja de datos
411En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 60 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 150 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 350mO,1200V, TO-247-3, Industrial
Hoja de datos
3.481En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 7.6 A 455 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 19 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement
SemiQ MOSFET de SiC 1200V, 18mOhm, TO-247-4L MOSFET
Hoja de datos
30En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 119 A 18 mOhms - 10 V, + 25 V 4 V 216 nC - 55 C + 175 C 564 W Enhancement
SemiQ MOSFET de SiC 1200V, 40mOhm, TO-263-7L MOSFET
Hoja de datos
25En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 66 A 38 mOhms - 10 V, + 25 V 4 V 112 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement
onsemi MOSFET de SiC 1200V/70MOSICFETG4TO24
Hoja de datos
416En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27.5 A 91 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 217 W SiC FET
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC TO263 1.2KV 40A N-CH SIC
Hoja de datos
670En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 91 nC + 175 C 150 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC TO263 750V 31A N-CH SIC
Hoja de datos
1.946En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 31 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 93 W Enhancement
onsemi MOSFET de SiC 650V/80MOSICFETG3TO247
Hoja de datos
584En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 1200V/16MOSICFETG3TO247-4
Hoja de datos
466En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 107 A 21 mOhms - 20 V, + 20 V 4 V 218 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
Microchip Technology MOSFET de SiC MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4
Hoja de datos
258En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 103 A 31 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V 232 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement