CA MOSFET de SiC

Resultados: 1.298
Seleccionar Imagen Número de referencia
 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Cualificación
Nombre comercial
Infineon Technologies AIMDQ75R020M2HXTMA1
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
Hoja de datos
35En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 86 A 25 mOhms -7 V to + 23 V 4.5 V 59 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK
Hoja de datos
30En existencias
Más información disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 45 A 50 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies AIMZA75R007M2HXKSA1
Infineon Technologies MOSFET de SiC Automotive SiC MOSFET, 750 V
Hoja de datos
15En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 172 A 9 mOhms - 11 V, + 25 V 5.6 V 169 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
Hoja de datos
128En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 64 A 31 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement CoolSiC
IXYS MOSFET de SiC 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
Hoja de datos
89En existencias
Más información disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 450

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 52 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement
Infineon Technologies AIMZA75R011M2HXKSA1
Infineon Technologies MOSFET de SiC Automotive SiC MOSFET, 750 V
Hoja de datos
15En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 116 A 13.8 mOhms - 7 V, + 25 V 5.6 V 106 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
70En existencias
Más información disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 45 A 50 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement CoolSiC
IXYS MOSFET de SiC 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO-263-7L
Hoja de datos
88En existencias
Más información disponible
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 53 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement
APC-E MOSFET de SiC 1200V 75mR, TO-247-4L, Industrial Grade
Hoja de datos
262En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27 A 98 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 40 nC - 55 C + 175 C 151 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK
Hoja de datos
49En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 36 A 65 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement CoolSiC
APC-E MOSFET de SiC 1200V 75mR, TO-247-4L, Automotive Grade
Hoja de datos
290En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27 A 98 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 40 nC - 55 C + 175 C 151 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
63En existencias
Más información disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 36 A 65 mhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement CoolSiC
APC-E MOSFET de SiC 650V 50mR, TO-247-4L, Industrial Grade
Hoja de datos
288En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 65 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 45 nC - 55 C + 175 C 198 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK
Hoja de datos
24En existencias
Más información disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 220 A 9 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 164 nC - 55 C + 175 C 789 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
Hoja de datos
135En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 50 A 41.3 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
Hoja de datos
148En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 29 A 78 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 20 nC - 55 C + 175 C 116 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
Hoja de datos
160En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 42 A 50 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 156 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies AIMZA75R025M2HXKSA1
Infineon Technologies MOSFET de SiC Automotive SiC MOSFET, 750 V
Hoja de datos
25En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 60 A 31 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 202 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
100En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 53 A 41.3 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement CoolSiC
APC-E MOSFET de SiC 650V 50mR, TO-247-4L, Automotive Grade
Hoja de datos
270En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 65 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 45 nC - 55 C + 175 C 198 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
Hoja de datos
702En existencias
Más información disponible
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 840 V 357 A 5 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 342 nC - 55 C + 175 C 1.499 kW Enhancement CoolSiC
Central Semiconductor MOSFET de SiC 1700V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC
Hoja de datos
27En existencias
30Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 26 A 40 mOhms 20 V 2.4 V - 55 C + 175 C 28 W Depletion

onsemi MOSFET de SiC SIC MOSFET 900V TO247-4L
Hoja de datos
2.245En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 900 V 118 A 28 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 196 nC - 55 C + 175 C 484 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET de SiC 750V/18MOSICFETG4TO263-7
Hoja de datos
1.207En existencias
800Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 72 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 259 W Enhancement SiC FET

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-3L 650V
Hoja de datos
1.204En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 99 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC