X-Class Serie MOSFET

Resultados: 36
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado

IXYS MOSFET 650V/9A Power MOSFET
Hoja de datos
265En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 210 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 35 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
Hoja de datos
287En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 850 V 20 A 330 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 63 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
Hoja de datos
371En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 850 V 50 A 105 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 152 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 1000V 32A TO-268HV Power MOSFET
Hoja de datos
257En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 32 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 130 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 650V/64A Power MOSFET
Hoja de datos
3En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 64 A 51 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 143 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET TO247 850V 14A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
219En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 1000V 26A TO-268HV Power MOSFET
Hoja de datos
140En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 8 A 320 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 113 nC - 55 C + 150 C 860 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
Hoja de datos
238En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 850 V 20 A 330 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 63 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 1000V 52A PLUS247 Power MOSFET
Hoja de datos
194En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 52 A 125 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 245 nC - 55 C + 150 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 1000V 32A TO-247 Power MOSFET
Hoja de datos
494En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 32 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 130 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
Hoja de datos
30En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 850 V 20 A 330 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 63 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 850V/14A UlJun XCl
Hoja de datos
19En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 850 V 14 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 30 nC - 55 C + 150 C 460 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
Hoja de datos
Más información disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 850 V 50 A 105 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 152 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 850V 3.5A N-CH XCLASS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 850V/8A U-Junc X-Cla ss Power MOSFET
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 50

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 850 V 8 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 17 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 1000V 70A PLUS264 Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 70 A 89 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 350 nC - 55 C + 150 C 1.785 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 850V/90A Ultra Junction X-Class
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 41 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 25

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 850 V 90 A 41 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 340 nC - 55 C + 150 C 1.785 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 1000V 26A TO-247 Power MOSFET
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 8 A 320 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 113 nC - 55 C + 150 C 860 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET TO247 850V 30A N-CH XCLASS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 850 V 30 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 695 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET TO247 850V 9.5A N-CH XCLASS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 850 V 9.5 A 360 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 63 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 52A 1000V POWER MOSFET
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 36 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 52 A 125 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 245 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 850 V 66 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 230 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO220 850V 14A N-CH XCLASS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 850 V 14 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 30 nC - 55 C + 150 C 460 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO220 850V 4A N-CH XCLASS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 850 V 3.5 A 2.5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 7 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 850V/3.5A UlJun XCl HiPerFET Pwr MOSFET
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 850 V 3.5 A 2.5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 7 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube