OptiMOS 8 Serie MOSFET

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies ISC016N08NM8ATMA1
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V
Hoja de datos
238En existencias
Más información disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 268 A 1.54 mOhms 20 V 3.5 V 76 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies ISC016N08NM8SCATMA1
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V
Hoja de datos
Más información disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT PG-WSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 269 A 1.54 mOhms 20 V 3.5 V 76 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies ISC019N10NM8SCATMA1
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 8 PowerMOSFET, 100 V
Hoja de datos
Más información disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT PG-WSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 245 A 1.93 mOhms 20 V 3.2 V 106 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape