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ISC016N08NM8SCATMA1

Name: Infineon ISC016N08NM8SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC016N08NM8SCAT
Price: 5.54 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

726-ISC016N08NM8SCAT

Fabr. N.º:

ISC016N08NM8SCATMA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFET OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

ISC016N08NM8SCATMA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	5,54 €	5,54 €
	3,63 €	36,30 €
	2,67 €	267,00 €
	2,37 €	1.185,00 €
	2,12 €	2.120,00 €
10.000	Cotización

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFET
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PG-WSON-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	80 V
Id: corriente de drenaje continuo:	269 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	1.54 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3.5 V
Qg (carga de compuertas):	76 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	263 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	OptiMOS
Empaquetado:	Reel
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	7.2 ns
Transconductancia delantera: mín.:	55 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	6.1 ns
Serie:	OptiMOS 8
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	28 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	14 ns
Alias de parte #:	ISC016N08NM8SC SP006195339