Microchip MOSFET

Resultados: 511
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Nombre comercial Empaquetado

Microchip Technology MOSFET 350V 15Ohm 27.701En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 350 V 110 mA 15 Ohms - 20 V, 20 V 600 mV - 55 C + 150 C 360 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Microchip Technology MOSFET N-CHANNEL DEPLETION MODE 20.623En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 2 Channel 250 V 1.1 A 3.5 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V 7.04 nC - 55 C + 150 C Depletion Tray
Microchip Technology MOSFET 250V 7Ohm 4.184En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-92-3 N-Channel 1 Channel 250 V 215 mA 7 Ohms - 20 V, 20 V 600 mV - 55 C + 150 C 740 mW Enhancement Bulk
Microchip Technology MOSFET 240V 1.25Ohm 703En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-92-3 N-Channel 1 Channel 240 V 540 mA 1.25 Ohms - 20 V, 20 V 1 V - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Bulk
Microchip Technology MOSFET 60V 0.9Ohm 413En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-39-3 P-Channel 1 Channel 60 V 750 mA 900 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V - 55 C + 150 C 6 W Enhancement Bulk

Microchip Technology MOSFET 250V 7Ohm 18.648En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT SOT-89-3 N-Channel 1 Channel 250 V 316 mA 7 Ohms - 20 V, 20 V 600 mV - 55 C + 150 C 1.6 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Microchip Technology MOSFET 120V 6Ohm 1.491En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-92-3 N-Channel 1 Channel 120 V 230 mA 6 Ohms - 30 V, 30 V 800 mV - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Bulk

Microchip Technology MOSFET 500V 1KOhm 26.788En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 500 V 13 mA 1 kOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 360 mW Depletion Reel, Cut Tape, MouseReel
Microchip Technology MOSFET 400V 15Ohm 1.526En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.300

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 400 V 210 mA 15 Ohms - 20 V, 20 V 2 V - 55 C + 150 C 1.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Microchip Technology MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET 1.937En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si Through Hole TO-92-3 N-Channel 1 Channel 500 V 50 mA 45 Ohms - 20 V, 20 V 2 V - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Ammo Pack
Microchip Technology MOSFET 60V 3Ohm 3.251En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-92-3 N-Channel 1 Channel 60 V 330 mA 3 Ohms - 30 V, 30 V 800 mV - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Bulk
Microchip Technology MOSFET P-CH Enhancmnt Mode MOSFET 3.345En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si Through Hole TO-92-3 P-Channel 1 Channel 60 V 640 mA 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 3.5 V - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape
Microchip Technology MOSFET P-CH Enhancmnt Mode MOSFET 2.668En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si Through Hole TO-92-3 P-Channel 1 Channel 400 V 86 mA 30 Ohms - 20 V, 20 V 2.4 V - 55 C + 150 C 740 mW Enhancement Reel, Cut Tape
Microchip Technology MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET 3.309En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si Through Hole TO-92-3 N-Channel 1 Channel 600 V 160 mA 25 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Ammo Pack

Microchip Technology MOSFET 1.8V-rated reverse-blocking PFET 3.615En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT SOT-143-4 P-Channel 1 Channel 6 V 1.8 A 160 mOhms - 6 V, 6 V 1.2 V - 40 C + 150 C 568 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Microchip Technology MOSFET N & P Channel Enhanc ement Dual MOSFET 2.125En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.300

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 150 V 1.5 A, 3.8 A 4 Ohms, 7 Ohms - 20 V, 20 V 2 V - 55 C + 150 C Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Microchip Technology MOSFET 400V 5 Ohm 2.944En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 400 V 2 A 5 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Microchip Technology MOSFET MOSFET DEPLETION MODE 500V 10 Ohms 5.396En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT SOT-89-3 N-Channel 1 Channel 500 V 160 mA 10 Ohms - 20 V, 20 V 3.5 V - 55 C + 150 C 1.6 W Depletion Reel, Cut Tape, MouseReel
Microchip Technology MOSFET N-Channel MOSFET 400V 0.12A 3P TO-92 1.796En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si Through Hole TO-92-3 N-Channel 1 Channel 400 V 120 mA 25 Ohms - 20 V, 20 V 3.5 V - 55 C + 150 C 1 W Depletion Reel, Cut Tape
Microchip Technology MOSFET 16.5V 1.5Ohm 3.163En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.300

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 16.5 V 700 mA 1.5 Ohms - 10 V, 10 V 1 V - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Microchip Technology MOSFET 18V 2.5Ohm 1.752En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT SOT-89-3 N-Channel 1 Channel 18 V 400 mA 2.5 Ohms - 15 V, 15 V 300 mV - 55 C + 150 C 1.6 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Microchip Technology MOSFET MOSFET MOS5 500 V 60 mOhm TO-264 MAX 75En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 77 A 60 mOhms - 30 V, 30 V 2 V - 55 C + 150 C 833 W Tube

Microchip Technology MOSFET FREDFET MOS8 1000 V 14 A TO-247 1.519En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 14 A 980 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 120 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement Tube

Microchip Technology MOSFET FREDFET MOS7 300 V 75 mOhm TO-247 543En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 44 A 75 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 57 nC - 55 C + 150 C 329 W Enhancement Tube

Microchip Technology MOSFET FREDFET MOS8 800 V 38 A TO-247 MAX 141En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 41 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 260 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement Tube