SAB MOSFET

Resultados: 12
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Advanced Linear Devices MOSFET Dual MOSFET ARRAY Vt=2.70V
Hoja de datos
5En existencias
Más información disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.72 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad MOSFET ARRAY Vt=2.60V
Hoja de datos
16En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.62 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad MOSFET ARRAY Vt=2.50V
Hoja de datos
47En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.52 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad MOSFET ARRAY Vt=2.30V
Hoja de datos
Más información disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.32 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad MOSFET ARRAY Vt=2.70V
Hoja de datos
Más información disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 23 Ohms - 12 V, 12 V 2.72 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube
Advanced Linear Devices MOSFET Dual MOSFET ARRAY Vt=2.40V
Hoja de datos
Más información disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 2.42 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube
Advanced Linear Devices MOSFET Dual MOSFET ARRAY Vt=2.50V
Hoja de datos
Más información disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.52 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad MOSFET ARRAY Vt=2.40V
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 6 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.42 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube
Advanced Linear Devices MOSFET Dual MOSFET ARRAY Vt=2.30V
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 50
Múlt.: 50

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 2.28 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube
Advanced Linear Devices MOSFET Dual MOSFET ARRAY Vt=2.60V
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 4 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.62 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube
Advanced Linear Devices MOSFET Dual MOSFET ARRAY Vt=2.80V
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 4 Semanas
Mín.: 50
Múlt.: 50

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.82 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad MOSFET ARRAY Vt=2.80V
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 50
Múlt.: 50

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 2.8 mOhms - 12 V, 12 V 2.82 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube