MOSIX MOSFET

Resultados: 8
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Toshiba MOSFET TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS 340En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 3.5 A 2.2 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 13 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MOSIX Tube
Toshiba MOSFET TO-220SIS PD=40W 1MHz PWR MOSFET TRNS 39En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7.5 A 1 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 24 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MOSIX Tube
Toshiba MOSFET N-Ch TT-MOSIX 600V 40W 1130pF 10A 434En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 750 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 30 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MOSIX Tube
Toshiba MOSFET N-Ch TT-MOSIX 600V 35W 740pF 6A 228En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 21 nC + 150 C 35 W Enhancement MOSIX Tube
Toshiba MOSFET TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS 243En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 2 A 4.1 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 8 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MOSIX Tube
Toshiba MOSFET N-Ch TT-MOSIX 600V 45W 1320pF 11A 277En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 650 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 34 nC + 150 C 45 W Enhancement MOSIX Tube
Toshiba MOSFET TO-220SIS PD=35W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 4 A 1.7 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 16 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MOSIX Tube
Toshiba MOSFET N-Ch TT-MOSIX 600V 30W 490pF 3.7A Plazo producción 17 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 3.7 A 1.9 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 14 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MOSIX Tube