CSD23285F5 Serie MOSFET

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Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Texas Instruments MOSFET -12-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD23285F5T 3.370En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 P-Channel 1 Channel 12 V 3.3 A 80 mOhms - 6 V, 6 V 950 mV 4.2 nC - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement PicoStar Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFET -12-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD23285F5 744En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 250

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 P-Channel 1 Channel 12 V 3.3 A 80 mOhms - 6 V, 6 V 950 mV 4.2 nC - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement PicoStar Reel, Cut Tape, MouseReel