PolarHT Módulos MOSFET

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Empaquetado
IXYS Módulos MOSFET IXTT140N10P TRL
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 39 Semanas
Mín.: 400
Múlt.: 400
: 400

Si SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 100 V 140 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 3 V - 55 C + 175 C 600 W Reel
IXYS Módulos MOSFET IXTT96N20P TRL
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 39 Semanas
Mín.: 400
Múlt.: 400
: 400

Si SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 200 V 96 A 24 mOhms - 20 V, + 20 V 2.5 V - 55 C + 175 C 600 W Reel