4402 Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos

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Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche
Microchip Technology Diodos PIN 50MHz - 12 GHz PIN Diode 2 us 2.646En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 500

PIN Diodes Si SMD/SMT 0805
Vishay / Siliconix MOSFET N-Channel 100 V (D-S) MOSFET SO-8, 9.3 mohm a. 10V, 10.3 mohm a. 4.5V 12.383En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT PowerPAK 1212-8S
Vishay / Siliconix MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET 2.834En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8S
onsemi Diodos de Protección contra ESD / Diodos TVS Low Cap. 4 line EMI Filter w/ESD 4.574En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

DFN-8
Vishay Semiconductors SISD4402DN-T1-UE3
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Mín.: 1
Múlt.: 1
MOSFETs
Microchip Technology Diodos PIN Fast SMT MRI Protect PIN Diode 20ns No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 500

PIN Diodes Si SMD/SMT GM3
Microchip Technology Diodos PIN Si Limiter Non Hermetic Plastic SMT No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000

PIN Diodes Si SMD/SMT GM2
MACOM GTRB204402FC/1-V1-R2
MACOM FET de GaN 400W, 48V, 1930-2020 MHz GaN-SiC HEMT No en almacén
Mín.: 250
Múlt.: 250
: 250

GaN FETs GaN-on-SiC
Microchip Technology MPP4402-206
Microchip Technology Diodos PIN Si PIN Non Hermetic MMSM No en almacén Plazo producción 48 Semanas
Mín.: 500
Múlt.: 100
PIN Diodes Si
Panjit MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET No en almacén Plazo producción 36 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 5.000
: 5.000

MOSFETs Si
Microchip Technology Diodos PIN Fast SMT MRI Protect PIN Diode 20ns No en almacén Plazo producción 45 Semanas
Mín.: 500
Múlt.: 500
: 500

PIN Diodes Si SMD/SMT GM2
MACOM GTRB184402FC-V1-R0
MACOM FET de GaN 480W, 48V, 1805-1880 MHz GaN-SiC HEMT No en almacén
Mín.: 50
Múlt.: 50
: 50
GaN FETs GaN-on-SiC
Microchip Technology MML4402-GM2/TR
Microchip Technology Diodos PIN Si Limiter Non Hermetic Plastic SMT No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000

PIN Diodes
Microchip Technology MPP4402-206/TR
Microchip Technology Diodos PIN Si PIN Non Hermetic MMSM No en almacén
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
PIN Diodes Si
MACOM GTRB224402FC-V1-R0
MACOM FET de GaN 400W, 48V, 2110-2200 MHz GaN-SiC HEMT No en almacén
Mín.: 50
Múlt.: 50
: 50

GaN FETs GaN-on-SiC
Nexperia MOSFET PSMN8R5-60YS/SOT669/LFPAK 2.427En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.500

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-669-5
Panjit MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 5.000
: 5.000

MOSFETs Si
MACOM GTRB204402FC/1-V1-R0
MACOM FET de GaN 400W, 48V, 1930-2020 MHz GaN-SiC HEMT No en almacén
Mín.: 50
Múlt.: 50
: 50

GaN FETs GaN-on-SiC
Microchip Technology MMP4402-GM2/TR
Microchip Technology Diodos PIN Si PIN Non Hermetic Plastic SMT No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000

PIN Diodes
MACOM GTRB224402FC-V1-R2
MACOM FET de GaN 400W, 48V, 2110-2200 MHz GaN-SiC HEMT No en almacén
Mín.: 250
Múlt.: 250
: 250

GaN FETs GaN-on-SiC
MACOM GTRB184402FC-V1-R2
MACOM FET de GaN 480W, 48V, 1805-1880 MHz GaN-SiC HEMT No en almacén
Mín.: 250
Múlt.: 250
: 250
GaN FETs GaN-on-SiC
Nexperia Diodos Zener BZX84-C8V2/SOT23/TO-236AB 27.911En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 10.000

Zener Diodes SMD/SMT SOT-23-3
Infineon Technologies Transistores bipolares RF RF BIP TRANSISTOR 63.647En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

RF Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-323
Central Semiconductor 2N4402 TRE TIN/LEAD
Central Semiconductor Transistores bipolares - BJT 40V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch No en almacén Plazo producción 42 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 2.000
: 2.000

BJTs - Bipolar Transistors
Central Semiconductor 2N4402 APM PBFREE
Central Semiconductor Transistores bipolares - BJT 40V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 2.000
: 2.000

BJTs - Bipolar Transistors