EPC FET de GaN

Resultados: 56
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Modo canal
Nombre comercial
EPC FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 13.5 milliohm at 5 V, BGA 1.5 x 1.5
Hoja de datos
12.274En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT BGA-6 N-Channel 1 Channel 100 V 8.2 A 13.5 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 3.5 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN EPC eGaN FET,200 V, 43 milliohm at 5 V, BGA 1.8 x 1.8
Hoja de datos
8.185En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT BGA-4 N-Channel 1 Channel 200 V 3 A 43 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 2.9 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN EPC eGaN FET, 40 V, 3.5 mohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
Hoja de datos
11.151En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 40 V 29 A 3.5 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 6.6 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN EPC eGaN FET, 170 V, 9 milliOhm at 5 V, LGA 2.8 x 1.4
Hoja de datos
2.468En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 170 V 24 A 9 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 5.7 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN EPC eGaN FET, 80 V, 3.6 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 1.95
Hoja de datos
2.928En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

SMD/SMT LGA-8 N-Channel 1 Channel 80 V 60 A 3.6 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 9.4 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN EPC eGaN FET,40 V, 1.5 milliohm at 5 V, LGA 3.25 x 2.85
Hoja de datos
1.998En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

SMD/SMT LGA-14 N-Channel 1 Channel 40 V 69 A 1.5 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 17.1 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 23 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85
Hoja de datos
4.019En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT BGA-6 N-Channel 1 Channel 100 V 1.7 A 23 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 1.9 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN EPC eGaN Symetrical Half Bridge80 V, 5.5 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3
Hoja de datos
980En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 500

SMD/SMT Die N-Channel 2-Channel 80 V 30 A 5.5 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 6.5 nC, 6.5 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN EPC eGaN Dual FET,100 V, 70 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
Hoja de datos
2.500En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT BGA-9 N-Channel 2 Channel 100 V 1.7 A 70 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 730 pC, 730 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN EPC eGaN FET,200 V, 22 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0
Hoja de datos
7.500En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 200 V 14 A 22 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 4.5 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN EPC eGaN FET,15 V, 26 milliohm at 5 V, BGA 0.85 x 1.2
Hoja de datos
4.950En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT BGA-6 N-Channel 1 Channel 15 V 3.4 A 26 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 0.87 nC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN EPC eGaN FET,40 V, 110 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
Hoja de datos
1.942En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 40 V 4 A 110 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 370 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN EPC eGaN FET,65 V, 130 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
Hoja de datos
2.460En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 65 V 4 A 130 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 370 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 160 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
Hoja de datos
3.858En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 100 V 4 A 160 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 360 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN EPC eGaN FET,80 V, 80 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
Hoja de datos
2.434En existencias
Más información disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT BGA-4 N-Channel 1 Channel 80 V 1.7 A 80 mOhms - 4 V, 5.75 V 2.5 V 670 pC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
Hoja de datos
Más información disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 100 V 29 A 6 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 5.7 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 1.8 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
Hoja de datos
Más información disponible
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 100 V 133 A 1.8 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 23 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN EPC eGaN FET,80 V, 1.0 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
Hoja de datos
Más información disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 80 V 133 A 1 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 28 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN EPC eGaN FET,200 V, 100 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 0.9
Hoja de datos
Más información disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT LGA-4 N-Channel 1 Channel 200 V 5 A 100 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 1 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0
Hoja de datos
Más información disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

SMD/SMT LGA-8 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 3.2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 12.5 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN EPC eGaN FET, 80 V, 20 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
Hoja de datos
Más información disponible
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT BGA-9 N-Channel 1 Channel 80 V 10 A 20 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 1.8 nC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN EPC eGaN FET,60 V, 2.6 milliohm at 5 V, BGA 4.6 x 2.6
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 500
Bobina: 500

SMD/SMT BGA-24 N-Channel 1 60 V 48 A 2.6 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 16 nC - 40 C + 150 Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 10.5 milliohm at 5 V, CuPillar 2.15 x 1.25
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 12.500
Múlt.: 2.500
Bobina: 2.500

SMD/SMT Die N-Channel 1 100 V 9.4 A 10.5 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 4.3 nC - 40 C + 150 Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN EPC eGaN FET,40 V, 2.25 milliohm at 5 V, LGA 3.25 x 3.25
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

SMD/SMT LGA-16 N-Channel 1 40 V 80 A 2.25 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 12.5 nC - 40 C + 150 Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN 100 V eGaN FET, 3.2 mohm Rdson, 3.725 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

SMD/SMT N - Channel 1 Channel 100 V 69 A 3.2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 12 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET