QSD123 Serie Fototransistores

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Empaquetado / Estuche
Longitud de onda pico
Corriente máxima del colector en estado de conducción
Voltaje colector-emisor VCEO máx.
Voltaje de saturación colector-emisor
Corriente oscura
Tiempo de establecimiento
Tiempo de caída
Pd (disipación de potencia)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Serie
onsemi QSD123A4R0
onsemi Fototransistores Phototrans IR Chip NPN Transistor 880nm
Hoja de datos
2.927En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.200

T-1 3/4 880 nm 16 mA 5 V 400 mV 100 nA 7 us 7 us 100 mW - 40 C + 100 C QSD123
onsemi Fototransistores 4mA PHOTO TRANS
Hoja de datos
560En existencias
2.500Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 500

T-1 3/4 880 nm 30 V 100 nA 7 us 7 us 100 mW - 40 C + 100 C QSD123