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CSD25310Q2

Name: Texas Instruments CSD25310Q2
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD25310Q2
Price: 0.51 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

595-CSD25310Q2

Fabr. N.º:

CSD25310Q2

Fabr.:

Texas Instruments

Descripción:

MOSFET 20-V P-CH NexFET Pwr MOSFET

Hoja de datos:

CSD25310Q2 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,516 €	0,52 €
	0,321 €	3,21 €
	0,215 €	21,50 €
	0,167 €	83,50 €
	0,149 €	149,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,127 €	381,00 €
	0,116 €	696,00 €
	0,108 €	972,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

Empaquetado alternativo

Fabr. N.º Ref.:

CSD25310Q2T

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

1,46 €

Min:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	WSON-6
Polaridad de transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	20 V
Id: corriente de drenaje continuo:	20 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	23.9 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 8 V, 8 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	550 mV
Qg (carga de compuertas):	3.6 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	2.9 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	CN
País de difusión:	CN
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	5 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	15 ns
Serie:	CSD25310Q2
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel Power MOSFET
Tiempo típico de retraso de apagado:	15 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	8 ns
Peso unitario:	6 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TI P-Channel MOSFETs - 8-23-12

MOSFET de alimentación NexFET™ de Texas Instruments

Los MOSFET de alimentación NexFET™ de Texas Instruments ofrecen la mitad de carga de compuerta para la misma resistencia, de forma que los diseñadores pueden obtener una eficiencia de alimentación del 90% con el doble de frecuencia. Los MOSFET de alimentación NexFET de TI combinan un flujo de corriente vertical con un MOSFET de alimentación lateral. Estos dispositivos ofrecen una resistencia de activación baja y requieren una carga de compuerta extremadamente baja con perfiles de paquete habituales en el sector. Esta combinación no era posible anteriormente con las plataformas de silicio existentes. La tecnología del MOSFET de alimentación NexFET de TI mejora la eficacia energética para sistemas informáticos de altas prestaciones, redes, sistemas de redes y fuentes de alimentación.
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NexFET P-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET P-Channel Power MOSFETs are designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge in a small outline with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. These Texas Instruments NexFET MOSFETs feature ultra-low on-resistance, ultra-low Q_g and Q_gd, and a small footprint of 1.0mm x 1.5mm.

CSD25310Q2 20V P-Channel NexFET Power MOSFET

Texas Instruments CSD25310Q2 20V P-Channel NexFET Power MOSFET is a 19.9mΩ, –20V P-Channel MOSFET that is designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge. This is done in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. The CSD25310Q2's low on-resistance coupled with an extremely small footprint in a SON 2mm×2mm plastic package makes the device ideal for battery-operated space-constrained operations.