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CSD25310Q2T

Name: Texas Instruments CSD25310Q2T
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD25310Q2T
Price: 1.46 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

595-CSD25310Q2T

Fabr. N.º:

CSD25310Q2T

Fabr.:

Texas Instruments

Descripción:

MOSFET -20-V P channel Nex FET power MOSFET si A 595-CSD25310Q2

Hoja de datos:

CSD25310Q2T Hoja de datos

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 250)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	1,46 €	1,46 €
	0,929 €	9,29 €
	0,54 €	54,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 250)
	0,54 €	135,00 €
	0,464 €	232,00 €
	0,418 €	418,00 €
	0,413 €	1.032,50 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

Empaquetado alternativo

Fabr. N.º Ref.:

CSD25310Q2

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

0,52 €

Min:

Producto similar

Fabr.:

Texas Instruments

Fabr. N.º:

CSD25310Q2

Descripción:

MOSFET 20-V P-CH NexFET Pwr MOSFET

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	WSON-6
Polaridad de transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	20 V
Id: corriente de drenaje continuo:	20 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	19.9 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 8 V, 8 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1.1 V
Qg (carga de compuertas):	4.7 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	2.9 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	5 ns
Transconductancia delantera: mín.:	34 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	15 ns
Serie:	CSD25310Q2
Cantidad del paquete de fábrica:	250
Subcategoría:	Transistors
Tiempo típico de retraso de apagado:	15 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	8 ns
Peso unitario:	6 mg

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Atributos seleccionados: 0

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

CSD25310Q2 20V P-Channel NexFET Power MOSFET

Texas Instruments CSD25310Q2 20V P-Channel NexFET Power MOSFET is a 19.9mΩ, –20V P-Channel MOSFET that is designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge. This is done in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. The CSD25310Q2's low on-resistance coupled with an extremely small footprint in a SON 2mm×2mm plastic package makes the device ideal for battery-operated space-constrained operations.