Vishay MOSFET de SiC

Resultados: 11
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Vishay Semiconductors MOSFET de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
Más información disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 52 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 82 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFET de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
Más información disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 83 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFET de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
Más información disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247AD-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 84 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFET de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
Más información disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 41 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 58 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFET de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
Más información disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFET de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
Más información disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 32 A 100 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 47 nC - 55 C + 175 C 185 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFET de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
Más información disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 100 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 45 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFET de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
Más información disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 52 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 82 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFET de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
Más información disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 83 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFET de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
Más información disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFET de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
Más información disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement