References MOSFET

Resultados: 7
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Empaquetado
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V X2-DFN0806-3 T&R 10K
Hoja de datos
Más información disponible
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 10.000

Si SMD/SMT X2-DFN0806-3 N-Channel 1 Channel 20 V 520 uA 990 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 410 pC - 55 C + 150 C 410 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V 40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 2 Channel 40 V 105 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 40 nC - 55 C + 175 C 3 W Enhancement Reel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-6 T&R 10K
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 40 Semanas
Mín.: 10.000
Múlt.: 10.000
: 10.000
Si SMD/SMT U-DFN2020-6 N-Channel 1 Channel 30 V 14.1 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 16.7 nC - 55 C + 150 C 800 mW Enhancement Reel

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V 40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 2 Channel 40 V 110 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 41.9 nC - 55 C + 175 C 3 W Enhancement Reel

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V 40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 2 Channel 40 V 105 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 40 nC - 55 C + 175 C 3 W Enhancement Reel

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V 40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 2 Channel 40 V 110 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 41.9 nC - 55 C + 175 C 2.98 W Enhancement Reel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 25V 30V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 24 Semanas
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 150 A 550 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 152.7 nC - 55 C + 175 C 2.13 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel