STMicroelectronics PowerMESH IGBT

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Empaquetado / Estuche
Estilo de montaje
Configuración
Voltaje colector-emisor VCEO máx.
Voltaje de saturación colector-emisor
Voltaje puerta-emisor máximo
Corriente continua del colector a 25 C
Pd (disipación de potencia)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Serie
Cualificación
Empaquetado
STMicroelectronics IGBT N-Ch Clamped 20 Amp
Hoja de datos
1.509En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

Si D2PAK-3 SMD/SMT Single 442 V 1.3 V - 12 V, 16 V 40 A 200 W - 55 C + 175 C STGB20NB41LZ AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel


STMicroelectronics IGBT N-channel 600 V, 7 A very fast IGBT
Hoja de datos
Comentarios de Producto
3.058En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si IPAK-3 Through Hole Single 600 V 1.9 V - 20 V, 20 V 15 A 62.5 W - 55 C + 150 C STGD6NC60H-1 Tube
STMicroelectronics IGBT N-Ch 600 Volt 7 Amp
Hoja de datos
1.783En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

Si TO-252-3 SMD/SMT Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 15 A 55 W - 65 C + 150 C STGD7NB60S Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics IGBT N-CH 7 A - 600V POWERMESH IGBT
Hoja de datos
3.004En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-220-3 FP Through Hole Single 600 V 1.2 V - 20 V, 20 V 15 A 25 W - 55 C + 150 C STGF7NB60SL Tube
STMicroelectronics IGBT N-CHANNEL IGBT
Hoja de datos
2.551En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.75 V - 25 V, 25 V 60 A 220 W - 55 C + 150 C STGW30NC120HD Tube
STMicroelectronics IGBT N Ch 10A 600V
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

Si DPAK-3 (TO-252-3) SMD/SMT Single 600 V 1.9 V - 20 V, 20 V 20 A 60 W - 55 C + 150 C STGD10NC60H Reel