STMicroelectronics IGBT

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Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Empaquetado / Estuche Estilo de montaje Configuración Voltaje colector-emisor VCEO máx. Voltaje de saturación colector-emisor Voltaje puerta-emisor máximo Corriente continua del colector a 25 C Pd (disipación de potencia) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Serie Cualificación Empaquetado
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A, soft-switching IH series IGBT in a TO-247 lo

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 60 A 180 W - 55 C + 175 C Tube

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss in a TO-247 long leads No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 600
Múlt.: 600

Si - 20 V, 20 V STGWA30M65DF2 Tube
STMicroelectronics IGBT 1250V 25A trench gte field-stop IGBT No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 600
Múlt.: 300

Si TO-3P-3 Through Hole Single 1.25 kV 2.65 V - 20 V, 20 V 60 A 375 W - 55 C + 175 C STGWT28IH125DF Tube