STMicroelectronics FET de GaN

Resultados: 8
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
STMicroelectronics FET de GaN 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor
Hoja de datos
364En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.800

SMD/SMT TO-LL-11 700 V 26 A 70 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 231 W Enhancement
STMicroelectronics FET de GaN 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor
Hoja de datos
685En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT DPAK-3 700 V 6 A 350 mOhms - 1.4 V, + 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement
STMicroelectronics FET de GaN 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor
Hoja de datos
Más información disponible
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 29 A 80 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement
STMicroelectronics FET de GaN 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor
Hoja de datos
Más información disponible
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 21.7 A 105 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 4.8 nC - 55 C + 150 C 158 W Enhancement
STMicroelectronics FET de GaN 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor
Hoja de datos
Más información disponible
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 17 A 140 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
STMicroelectronics FET de GaN 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor
Hoja de datos
Más información disponible
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 11.5 A 190 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement
STMicroelectronics FET de GaN 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
Hoja de datos
Más información disponible
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 10 A 240 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 76 W Enhancement
STMicroelectronics FET de GaN 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000

SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 65 mOhms + 6 V 1.8 V 5.4 nC - 55 C + 150 C 305 W