Power MOS V MOSFET

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado

Microchip Technology MOSFET MOSFET MOS5 300 V 85 mOhm TO-247
Hoja de datos
563En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 40 A 85 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 130 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Power MOS V Tube
Microchip Technology MOSFET FREDFET MOS5 200 V 22 mOhm TO-264
Hoja de datos
35En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 200 V 100 A 22 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 435 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement Power MOS V Tube
Microchip Technology MOSFET MOSFET MOS5 200 V 38 mOhm TO-268
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 N-Channel 1 Channel 200 V 67 A 38 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 148 nC - 55 C + 150 C 370 W Enhancement Power MOS V Tube