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QPD1025L

Name: Qorvo QPD1025L
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1025L
Price: 1808.94 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

772-QPD1025L

Fabr. N.º:

QPD1025L

Fabr.:

Qorvo

Descripción:

FET de GaN 1-1.1GHz 1500 Watt Gain 22.9dB 65V

Hoja de datos:

QPD1025L Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Qorvo
Categoría de producto:	FET de GaN
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	NI-1230-4
Id: corriente de drenaje continuo:	28 A
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 85 C
Pd (disipación de potencia):	758 W
Marca:	Qorvo
Configuración:	Dual Gate Dual Drain
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	US
Kit de desarrollo:	QPD1025LEVB1
Ganancia:	22.9 dB
Voltaje máximo drenaje puerta:	225 V
Sensibles a la humedad:	Yes
Energía de salida:	1.5 kW
Empaquetado:	Tray
Tipo de producto:	GaN FETs
Serie:	QPD1025L
Cantidad del paquete de fábrica:	18
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN SiC
Tipo de transistor:	HEMT
Peso unitario:	39,665 g

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TARIC:: 8517620000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8517620090
USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

QPD1025 & QPD1025L RF Input-Matched Transistors

Qorvo QPD1025 and QPD1025L RF Input-Matched Transistors are discrete GaN on SiC High Electron Mobility Transistors (HEMT) that have an operating frequency range of 1.0GHz to 1.1GHz. The QPD1025 and QPD1025L transistors feature 22.5dB linear gain, 1800W output power, 65V operating voltage, and support both pulse and CW operations. Qorvo QPD1025 and QPD1025L RF Input-Matched Transistors are available in industry standard air cavity packages and are ideal for IFF transponders, avionics, and test instrumentation.