Advanced Linear Devices MOSFET

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Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Advanced Linear Devices MOSFET Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.70V 3.584En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.72 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad P-Channel EPAD Matched Pair 53En existencias
50Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT SOIC-16 P-Channel 4 Channel 8 V 80 mA 1.14 kOhms - 8 V, 8 V 180 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad MOSFET ARRAY Vt=2.60V 18En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.62 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube
Advanced Linear Devices MOSFET Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.20V 39En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 2.22 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch 45En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole PDIP-8 N-Channel 2 Channel 10 V 12 mA 500 Ohms, 500 Ohms - 12 V, 12 V 20 mV 0 C + 70 C 500 mW Depletion Tube
Advanced Linear Devices MOSFET Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V 40En existencias
50Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10 V 79 mA 14 Ohms - 12 V, 12 V 20 mV 0 C + 70 C 500 mW Depletion Tube
Advanced Linear Devices MOSFET Quad SAB MOSFET ARRAY 20En existencias
50Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 50

Si SMD/SMT N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 3 V - 40 C + 85 C 500 mW Depletion Reel, Cut Tape, MouseReel
Advanced Linear Devices MOSFET Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.50V 307En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.52 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices MOSFET Dual MOSFET ARRAY Vt=2.70V 50En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.72 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V 26En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole PDIP-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 820 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad P-Channel EPAD Matched Pair 46En existencias
76Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT SOIC-16 P-Channel 4 Channel 8 V 80 mA 1.1 kOhms - 8 V, 8 V 20 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices MOSFET Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V 36En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10 V 79 mA 14 Ohms - 12 V, 12 V 0 V 0 C + 70 C 500 mW Depletion Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V 37En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole PDIP-8 N-Channel 2 Channel 10 V 79 mA 14 Ohms - 12 V, 12 V 180 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad SAB MOSFET ARRAY VT=1.70V 34En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 1.72 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V 16En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole PDIP-8 N-Channel 2 Channel 10 V 79 mA 14 Ohms - 12 V, 12 V 0 V 0 C + 70 C 500 mW Depletion Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.50V 1.369En existencias
778Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.52 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Dual P&N-Ch. Pair 50En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole PDIP-14 N-Channel, P-Channel 4 Channel 12 V 16 mA, 40 mA 50 Ohms, 180 Ohms - 12 V, 12 V 400 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Dual P&N-Ch. Pair 177En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole PDIP-14 N-Channel, P-Channel 4 Channel 12 V 2 mA, 4.8 mA 350 Ohms, 1.2 kOhms - 12 V, 12 V 400 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad N-Channel Array 135En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole PDIP-14 N-Channel 4 Channel 12 V 4.8 mA 350 Ohms - 12 V, 12 V 400 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad P-Channel Array 93En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole PDIP-14 P-Channel 4 Channel 12 V 2 mA 1.2 kOhms - 12 V, 12 V 400 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch 55En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole PDIP-8 N-Channel 2 Channel 10 V 12 mA 500 Ohms, 500 Ohms - 12 V, 12 V 0 V 0 C + 70 C 500 mW Depletion Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V 36En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole PDIP-8 N-Channel 2 Channel 10 V 79 mA 14 Ohms - 12 V, 12 V 20 mV 0 C + 70 C 500 mW Depletion Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad MOSFET ARRAY Vt=2.50V 49En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.52 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad EPAD(R) N-Ch 15En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole PDIP-16 N-Channel 4 Channel 10 V 12 mA 500 Ohms - 12 V, 12 V 0 V 0 C + 70 C 500 mW Depletion Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.20V 23En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.22 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube