STMicroelectronics Semiconductores discretos

Resultados: 4.074
Seleccionar Imagen Número de referencia
 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche

STMicroelectronics IGBT Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT
Hoja de datos
540En existencias
600Pedido
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 600

IGBTs Si SMD/SMT HU3PAK-7
STMicroelectronics IGBT Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT
Hoja de datos
766En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBTs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET Automotive N-channel 40 V, 0.48 mOhm max., 672 A STripFET F8 Power MOSFET
Hoja de datos
496En existencias
Más información disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

MOSFETs
STMicroelectronics MOSFET N-channel logic level 60 V, 2.5 mOhm max., 160 A, STripFET F7 Power MOSFET
Hoja de datos
910En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

MOSFETs
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC 650 V, 20A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
Hoja de datos
585En existencias
600Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole DO-247-2
STMicroelectronics Diodos de Protección contra ESD / Diodos TVS 400 W 2.3kW Transil 5V to 70V Uni
Hoja de datos
5.091En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

SMA (DO-214AC)
STMicroelectronics Diodos de Protección contra ESD / Diodos TVS 3000W Transil 18V 0.2uA 15kV 8kV Uni
Hoja de datos
2.500En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500
SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH3
Hoja de datos
1.841En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Diodos y rectificadores Schottky Dual 2000V Schottky 80V 45pF 0.490V Vf
Hoja de datos
1.739En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Schottky Diodes & Rectifiers Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics TN8050H-12PI
STMicroelectronics SCR 80 A 1200 V High Temperature SCR Thyristor
Hoja de datos
594En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SCRs
STMicroelectronics Diodos y rectificadores Schottky Aerospace 45 V power Schottky rectifier - Engineering model
Hoja de datos
72En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT LCC-2B
STMicroelectronics Diodos y rectificadores Schottky Aerospace 40 V 3 A power Schottky rectifier - Engineering model
Hoja de datos
155En existencias
18Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT LCC-2B
STMicroelectronics Transistores bipolares - BJT Rad-Hard 50 V, 0.8 A NPN transistor - Engineering model
Hoja de datos
144En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT UB-4
STMicroelectronics Transistores bipolares - BJT Rad-Hard 60 V, 0.6 A PNP transistor - Engineering model
Hoja de datos
21En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT UB-4
STMicroelectronics Transistores bipolares - BJT Rad-Hard 80 V, 5 A NPN transistor - Engineering model
Hoja de datos
27En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SMD.5


STMicroelectronics IGBT Automotive-grade trench gate field-stop 1200 V 40 A low-loss MS series IGBT in a
Hoja de datos
557En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
Hoja de datos
169En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package
Hoja de datos
527En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package
Hoja de datos
448En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole Hip247-4


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
Hoja de datos
533En existencias
Más información disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4

STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package
Hoja de datos
459En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-3


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A
Hoja de datos
328En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A
Hoja de datos
589En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
Hoja de datos
587En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-3


STMicroelectronics MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
Hoja de datos
537En existencias
600Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-4