STMicroelectronics Semiconductores discretos

Resultados: 4.074
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche
STMicroelectronics Triacs Hi temp 8A Triacs 2.059En existencias
2.000Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Triacs Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics SCR High Temperature 30A SCR in TO-220AB Insulated 1.513En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SCRs Through Hole TO-220AB-3
STMicroelectronics SCR 4.0 Amp 600 Volt 2.316En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SCRs Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics SCR 1.25 Amp 600 Volt 7.951En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SCRs Through Hole TO-92-3 (TO-226-3)
STMicroelectronics Triacs 0.8A standard Triacs 6.416En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

Triacs SMD/SMT SOT-223-3
STMicroelectronics Triacs 1.0 Amp 800 Volt 9.178En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

Triacs SMD/SMT SOT-223
STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, 2.4 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET i 2.387En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 340 mOhm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a DPAK package 2.461En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Transistores RF MOSFET 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz 18En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 100

RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT LBB-5
STMicroelectronics Triacs 20 Amp 700 Volt 732En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Triacs Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.340 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 pack 1.962En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Diodos de Protección contra ESD / Diodos TVS 1500 W 10kW Transil 5.8V to 70V Uni 2.236En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Diodos de Protección contra ESD / Diodos TVS 1500 W 10kW Transil 5.8V to 70V Uni 2.191En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra 922En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Diodos de Protección contra ESD / Diodos TVS 400 W 2.3kW Transil 5V to 70V Uni 3.854En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

SMA (DO-214AC)
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600V 0.28Ohm 11A Mdmesh II I2PAK 913En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-262-3
STMicroelectronics Módulos MOSFET Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, sixpac topology, 1200 V, 47.5 mOhm typ. SiC Power MOSFET with NTC 124En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFET Modules Press Fit
STMicroelectronics Módulos MOSFET Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, 3-phase four wire PFC topology, 1200 V, 84 mOhm typ. SiC Power MOSFET with rectifier diode and NTC 127En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFET Modules Press Fit
STMicroelectronics FET de GaN 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor 356En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.800

GaN FETs GaN SMD/SMT TO-LL-11
STMicroelectronics Diodos de Protección contra ESD / Diodos TVS 600 W 4kW Transil 6V to 70V Uni 4.830En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

SMB (DO-214AA)
STMicroelectronics Diodos de Protección contra ESD / Diodos TVS 600W 4kW Transil SMA 5V to 70V Uni 4.199En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

SMA (DO-214AC)
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed 2.258En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-220FP-3
STMicroelectronics SCR 1.25A SENSITIVE GATE SCR 6.469En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SCRs Through Hole TO-92-3 (TO-226-3)
STMicroelectronics MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP24 45En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-3


STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac 564En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole