STMicroelectronics Semiconductores discretos

Resultados: 4.073
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche
STMicroelectronics Diodos de Protección contra ESD / Diodos TVS 600 W 4kW Transil 6V to 70V Uni 1.690En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

SMB (DO-214AA)
STMicroelectronics Diodos de Protección contra ESD / Diodos TVS 600W 4kW Transil SMA 5V to 70V Uni 4.209En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

SMA (DO-214AC)
STMicroelectronics Diodos de Protección contra ESD / Diodos TVS 600W 4kW Transil SMA 5V to 70V Uni 2.968En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

SMA (DO-214AC)
STMicroelectronics Diodos de Protección contra ESD / Diodos TVS 600W 154V Unidirect 8.470En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

SMB (DO-214AA)
STMicroelectronics Diodos de Protección contra ESD / Diodos TVS 3000 W, 28 V TVS in SMC 2.452En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Diodos de Protección contra ESD / Diodos TVS 3000 W, 48 V TVS in SMC 1.748En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Diodos de Protección contra ESD / Diodos TVS 3000W Transil 6V 0.2uA 15kV 8kV BI 2.439En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Diodos de Protección contra ESD / Diodos TVS 5000 W, 30 V TVS in SMC 2.090En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Transistores bipolares - BJT High voltage fast-switching NPN power transistor 1.315En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistores Darlington NPN Power Darlington 3.279En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Darlington Transistors Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600V 0.55 Ohm typ. 7.5A 1.075En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600 V 1.6 Ohm 3.3 A MDmesh II 2.222En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2 2.265En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)


STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade P-channel -30 V, 5 mOhm typ., -80 A, STripFET H6 Power MOSFET i 1.097En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag 981En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide cr 918En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Módulos IGBT SLLIMM 2nd,3phs 600V shrt-crct 97En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Modules Si Through Hole SDIP2F-26


STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT 246En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long 662En existencias
600Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed 521En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650 V 0.160 Ohm 18 A MDmesh(TM) M5 958En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-262-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV 2.794En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-4
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 550V 0.066Ohm 31A MDmesh M5 2.982En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5
STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 0.020Ohm 10A STripFET VII 2.086En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFET P-channel -30 V, 11 mOhm typ., -45 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 2.887En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8