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SICW025N120H-BP

Name: Micro Commercial Components (MCC) SICW025N120H-BP
Brand: Micro Commercial Components (MCC)
SKU: 833-SICW025N120H-BP
Price: 14.65 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

833-SICW025N120H-BP

Fabr. N.º:

SICW025N120H-BP

Fabr.:

Micro Commercial Components (MCC)

Descripción:

MOSFET de SiC SiC MOSFET,TO-247AB

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

SICW025N120H-BP Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	14,65 €	14,65 €
	10,40 €	104,00 €
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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Micro Commercial Components (MCC)
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247AB-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	86 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	45 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, + 25 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3 V
Qg (carga de compuertas):	305 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	375 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Micro Commercial Components (MCC)
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	12 ns
Transconductancia delantera: mín.:	18.6 S
Empaquetado:	Bulk
Producto:	SiC MOSFETS
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	55 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	1800
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo típico de retraso de apagado:	8 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	31 ns

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Hoja de datos

SICW025N120H-BP Hoja de datos (PDF)

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET de canal N SiC SICW0x de 1200 V

Los MOSFET de canal N SiC SICW0x de 1200 V de Micro Commercial Components (MCC) amplifican el rendimiento en encapsulados TO-247-4, TO-247-4L y TO-247AB. Estos MOSFET ofrecen una alta velocidad de conmutación con una carga de compuertas baja, flexibilidad de diseño y fiabilidad. Los MOSFET de SiC de 1200 V SICW0x incluyen un amplio intervalo de resistencia de encendido típico de 21 mΩ a 120 mΩ y un rendimiento fiable. Estos MOSFET de SiC ofrecen propiedades térmicas superiores y un diodo intrínseco rápido para garantizar un funcionamiento suave y eficiente en condiciones difíciles. Los MOSFET de SiC SICW0x están disponibles en configuraciones de 3 y 4 pines (fuente Kelvin). Entre las aplicaciones típicas se incluyen accionamientos de motores, equipos de soldadura, fuentes de alimentación, sistemas de energía renovable, infraestructuras de carga, sistemas en la nube y suministro de alimentación ininterrumpido (SAI).