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PJQ44611AP-AU_R2_002A1

Name: Panjit PJQ44611AP-AU_R2_002A1
Brand: Panjit
SKU: 241-PJQ4461AUR2002A1
Price: 0.64 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

241-PJQ4461AUR2002A1

Fabr. N.º:

PJQ44611AP-AU_R2_002A1

Fabr.:

Panjit

Descripción:

MOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

PJQ44611AP-AU_R2_002A1 Hoja de datos (PDF)

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-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 5000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,645 €	0,65 €
	0,396 €	3,96 €
	0,257 €	25,70 €
	0,196 €	98,00 €
	0,16 €	160,00 €
	0,159 €	397,50 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 5000)
	0,14 €	700,00 €
	0,132 €	1.320,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Panjit
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DFN3333-8
Polaridad de transistor:	P-Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	60 V
Id: corriente de drenaje continuo:	13 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	84 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V
Qg (carga de compuertas):	18 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	31 W
Modo canal:	Enhancement
Cualificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Panjit
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Tiempo de caída:	12 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	3.1 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	27 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	4.9 ns
Peso unitario:	30 mg

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Hoja de datos

PJQ44611AP-AU_R2_002A1 Hoja de datos (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

60V Automotive P-Channel MOSFETs

PANJIT 60V Automotive P-Channel MOSFETs are designed with advanced trench process technology to minimize R_DS(ON) while maximizing avalanche ruggedness and space usage. With AEC-Q101 qualification and a high junction temperature of +175°C, these MOSFETs are the optimal choice for automotive design engineers who wish to simplify circuitry while optimizing performance. PANJIT’s P-channel MOSFETs can reduce the circuit complexity of power designs. These components are available in a wide range of compact packages, including SOT-23, SOT-23 6L-1, DFN2020B-6L, DFN3333-8L, DFN5060-8L, and TO-252AA.

60V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs are designed with advanced trench technology to minimize R_DS(ON) while maximizing avalanche ruggedness and space usage while maintaining superior switching performance. The devices feature a 200mA to 16A continuous drain current, a 1.1nC to 22nC gate charge, and 300mW to 50W power dissipation. The MOSFETs include advanced Trench Process technology and are optimized for use as relay drivers and line drivers. With AEC-Q101 qualification options and a high junction temperature of 175°C, the MOSFETs are ideal for automotive design engineers to simplify circuitry while optimizing performances.