Navitas Semiconductor Semiconductores

Resultados: 1.801
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS
GeneSiC Semiconductor Diodos y rectificadores Schottky 60V - 35A Schottky Rectifier
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Múlt.: 1

GeneSiC Semiconductor Módulos de diodos SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 400A100P/70
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Mín.: 1
Múlt.: 1

GeneSiC Semiconductor Módulos de diodos 600V 120A Fwd Super Fast Recovery
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Mín.: 1
Múlt.: 1

GeneSiC Semiconductor Rectificadores de puente 400 V - 25 A
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Mín.: 1
Múlt.: 1

GeneSiC Semiconductor Rectificadores 200V 35A Std. Recovery
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Mín.: 1
Múlt.: 1

GeneSiC Semiconductor Rectificadores 200V 35A REV Leads Std. Recovery
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Mín.: 1
Múlt.: 1

GeneSiC Semiconductor Rectificadores 400V 40A Std. Recovery
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Mín.: 1
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GeneSiC Semiconductor Rectificadores SI STND RECOV DO-8 200-1400V 100A 800PV
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Mín.: 1
Múlt.: 1

GeneSiC Semiconductor Rectificadores SI STND RECOV DO-8 200-1400V 100A 800PV
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Mín.: 1
Múlt.: 1

GeneSiC Semiconductor Rectificadores 50V 6A Fast Recovery
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Mín.: 1
Múlt.: 1

GeneSiC Semiconductor Rectificadores de puente 1000V 35A Standard
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6En existencias
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Navitas Semiconductor FET de GaN GaNFast Discrete 650V 450mOhm PQFN 56
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Mín.: 5.000
Múlt.: 5.000
: 5.000

Navitas Semiconductor FET de GaN GaNFast Discrete 650V 260mOhm PQFN 56
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No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 5.000
: 5.000

Navitas Semiconductor FET de GaN GaNFast Discrete 650V 150mOhm PQFN 56
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No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 5.000
: 5.000

Navitas Semiconductor FET de GaN GaNFET Discrete 650V 120mOhm PQFN 56
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No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 5.000
: 5.000

Navitas Semiconductor FET de GaN GaNFET Discrete 650V 170mOhm PQFN 88
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No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
: 3.000

Navitas Semiconductor FET de GaN GaNFET Discrete 650V 150mOhm PQFN 88
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No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
: 3.000

Navitas Semiconductor FET de GaN GaNFET Discrete 650V 70mOhm PQFN 88
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No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
: 3.000

Navitas Semiconductor FET de GaN GaNFET Discrete 650V 50mOhm PQFN 88
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No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
: 3.000

Navitas Semiconductor FET de GaN GaNFET Discrete 650V 520mOhm DPAK-2L
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No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 2.500
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: 2.500

Navitas Semiconductor FET de GaN GaNFET Discrete 650V 330mOhm DPAK-2L
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No en almacén Plazo producción 26 Semanas
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: 2.500

Navitas Semiconductor FET de GaN GaNFET Discrete 650V 260mOhm DPAK-2L
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No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 2.500
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: 2.500

Navitas Semiconductor FET de GaN GaNFET Discrete 650V 210mOhm DPAK-2L
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Mín.: 2.500
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: 2.500

Navitas Semiconductor FET de GaN GaNFET Discrete 650V 170mOhm DPAK-2L
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No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

Navitas Semiconductor FET de GaN GaNFET Discrete 650V 120mOhm DPAK-2L
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No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500