APC-E Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos

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Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche
APC-E MOSFET de SiC 1200V 13mR, TO247-4L, Automotive Grade 290En existencias
300Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4
APC-E Diodos Schottky de SiC 2000V 40A, TO247-2L, Industrial Grade 270En existencias
300Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
APC-E Diodos Schottky de SiC 1700V 50A, TO247-2L, Industrial Grade 297En existencias
300Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
APC-E MOSFET de SiC 650V 27mR, SAPKG-9L, Automotive Grade
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 600

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT SAPKG-9L
APC-E MOSFET de SiC 650V 35mR, TO-247-4L, Automotive Grade
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4L
APC-E MOSFET de SiC 1200V 20mR, TO-247-4L, Industrial Grade
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4L

APC-E MOSFET de SiC 650V 65mR, TO-247-3L, Automotive Grade
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3L
APC-E MOSFET de SiC 650V 35mR, TO-247-4L, Industrial Grade
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4L

APC-E MOSFET de SiC 650V 65mR, TO-247-3L, Industrial Grade
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3L
APC-E MOSFET de SiC 1200V 75mR, TO247-4L, Automotive Grade No en almacén Plazo producción 15 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4
APC-E MOSFET de SiC 1200V 32mR, TO247-4L, Industrial Grade No en almacén Plazo producción 15 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4
APC-E MOSFET de SiC 1200V 75mR, TO247-4L, Industrial Grade No en almacén Plazo producción 15 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4