Toshiba Transistores RF MOSFET

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Polaridad de transistor
Tecnología
Id: corriente de drenaje continuo
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Frecuencia de operación
Ganancia
Energía de salida
Temperatura operativa máxima
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Empaquetado
Toshiba Transistores RF MOSFET N-Ch Radio Freq 3A 20W 12V VDSS
Hoja de datos
426En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

N-Channel Si 3 A 12 V 470 MHz 11.5 dB 36.5 dBm + 150 C SMD/SMT PW-X-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistores RF MOSFET N-Ch Radio Freq 3A 20W 10V VDSS
Hoja de datos
No en almacén
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

N-Channel Si 3 A 10 V 470 MHz 13.5 dB 2.2 W SMD/SMT PW-X-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistores RF MOSFET Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 0.1A 0.25W 20V
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
: 3.000

N-Channel Si 100 mA 20 V 520 MHz 13 dB 200 mW SMD/SMT SOT-343-4 Reel
Toshiba Transistores RF MOSFET Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 4A 20W 20V
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
: 1.000

N-Channel Si 4 A 20 V 520 MHz 10.8 dB 12 W SMD/SMT PW-X-4 Reel