STMicroelectronics PD85035-E Serie Transistores RF MOSFET

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Polaridad de transistor
Tecnología
Id: corriente de drenaje continuo
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Frecuencia de operación
Ganancia
Energía de salida
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Empaquetado
STMicroelectronics Transistores RF MOSFET POWER R.F. N-Ch Trans
Hoja de datos
503En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

N-Channel Si 8 A 40 V 870 MHz 14.9 dB 35 W - 65 C + 165 C SMD/SMT PowerSO-12 Tube
STMicroelectronics Transistores RF MOSFET POWER R.F. N-Ch Trans
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 23 Semanas
Mín.: 400
Múlt.: 400

N-Channel Si 8 A 40 V 1 GHz 14.9 dB 35 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Tube
STMicroelectronics Transistores RF MOSFET POWER R.F. N-Ch Trans
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 23 Semanas
Mín.: 600
Múlt.: 600
Bobina: 600

N-Channel Si 8 A 40 V 1 GHz 14.9 dB 35 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Reel