ISSI SRAM

Resultados: 1.230
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tamaño de memoria
Organización
Tiempo de acceso
Frecuencia máxima de reloj
Tipo de interfaz
Tensión del suministro - Máx
Tensión del suministro - Mín
Corriente de suministro (máx.)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Empaquetado
ISSI SRAM 36Mb, DDR IIP (Burst of 4) CIO, Sync SRAM, 1M x 36, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 28 Semanas
Mín.: 105
Múlt.: 105

36 Mbit 1 M x 36 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.1 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 36Mb, DDR IIP (Burst of 4) CIO, Sync SRAM, 2M x 18, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 28 Semanas
Mín.: 105
Múlt.: 105

36 Mbit 2 M x 18 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.05 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, DDR II (Burst of 4) CIO, Sync SRAM, 2M x 36, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 28 Semanas
Mín.: 105
Múlt.: 105

72 Mbit 2 M x 36 300 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 650 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, DDR IIP (Burst of 4) CIO, Sync SRAM, 2M x 36, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 28 Semanas
Mín.: 105
Múlt.: 105

72 Mbit 2 M x 36 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.1 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, QUAD (Burst of 4), Sync SRAM, 4M x 18, 165 Ball FBGA (15x17 mm)
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 30 Semanas
Mín.: 105
Múlt.: 105

72 Mbit 4 M x 18 300 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 800 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, DDR IIP (Burst of 4) CIO, Sync SRAM, 4M x 18, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 28 Semanas
Mín.: 105
Múlt.: 105

72 Mbit 4 M x 18 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.05 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 18Mb, DDR II (Burst of 2) CIO, Sync SRAM, 1M x 18, 165 Ball FBGA (13x15 mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 28 Semanas
Mín.: 144
Múlt.: 144

18 Mbit 1 M x 18 450 ps 300 MHz Parallel 1.89 V 1.71 V 580 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, DDR IIP (Burst of 2) CIO, Sync SRAM, 2M x 36, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 28 Semanas
Mín.: 105
Múlt.: 105

72 Mbit 2 M x 36 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.1 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, DDR IIP (Burst of 2) CIO, Sync SRAM, 4M x 18, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 28 Semanas
Mín.: 105
Múlt.: 105

72 Mbit 4 M x 18 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.05 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 18Mb, DDR IIP (Burst of 4) CIO, Sync SRAM, 1M x 18, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 28 Semanas
Mín.: 105
Múlt.: 105

18 Mbit 1 M x 18 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.05 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 18Mb,Flow-Through,Sync,1Mb x 18,6.5ns,3.3v or 2.5V I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 72
Múlt.: 72

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 250 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 18Mb,Flow-Through,Sync,1Mb x 18,6.5ns,3.3v or 2.5V I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 800
Múlt.: 800
: 800

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 250 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 18M (1Mx18) 7.5ns Sync SRAM 3.3v
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 72
Múlt.: 72

18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 250 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 18Mb,Flow-Through,Sync,1M x 18,6.5ns,3.3v I/O, 100Pin TQFP, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 72
Múlt.: 72

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 2.375 V 260 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100
ISSI SRAM 18Mb,Flow-Through,Sync,1M x 18,6.5ns,3.3v I/O, 100Pin TQFP, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 800
Múlt.: 800
: 800

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 2.375 V 260 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 18Mb,Flow-Through,Sync,1M x 18,7.5ns,3.3v I/O, 100Pin TQFP, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 800
Múlt.: 800
: 800

18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT QFP-100 Reel
ISSI SRAM 36Mb,Flow-Through,Sync,1Mb x 36,7.5ns,3.3V I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 800
Múlt.: 800
: 800

36 Mbit 1 M x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 2.375 V 300 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 4Mb,Flow-Through,Sync,128K x 36,6.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

4 Mbit 128 k x 36 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 180 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 4Mb,Flow-Through,Sync,128K x 36,6.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 800
Múlt.: 800
: 800

4 Mbit 128 k x 36 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 180 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 4Mb,Flow-Through,Sync with ECC,128K x 36,6.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

4 Mbit 128 k x 36 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 180 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 4Mb,Flow-Through,Sync with ECC,128K x 36,6.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 800
Múlt.: 800
: 800

4 Mbit 128 k x 36 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 180 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 36Mb,Flow-Through,Sync,2Mb x 18,6.5 or 7.5ns,3.3V or 2.5V I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 800
Múlt.: 800
: 800

36 Mbit 2 M x 18 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 250 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 72Mb,Flowthrough,Sync,2Mb x 36,3.3V I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 72
Múlt.: 72
Máx.: 200

72 Mbit 2 M x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 320 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 72Mb,Flowthrough,Sync,2Mb x 36,3.3V or 2.5V I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 800
Múlt.: 800
: 800

72 Mbit 2 M x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 320 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 36Mb,Flow-Through,Sync,2Mb x 18,6.5 or 7.5ns,3.3V or 2.5V I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 72
Múlt.: 72

36 Mbit 2 M x 18 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 250 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100