ISSI SRAM

Resultados: 1.230
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tamaño de memoria Organización Tiempo de acceso Frecuencia máxima de reloj Tipo de interfaz Tensión del suministro - Máx Tensión del suministro - Mín Corriente de suministro (máx.) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Empaquetado
ISSI SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async,128K x 8,8ns/3.3v or 10ns/2.4v-3.6v, 32 Pin TSOP II, RoHS No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
: 1.000

Reel
ISSI SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async,128K x 8,8ns/3.3v or 10ns/2.4v-3.6v, 32 Pin sTSOP I (8x13.4mm), RoHS No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 2.000
: 2.000

Reel

ISSI SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,64K x 16,2.4V-3.6V (8ns),44 Pin TSOP II, RoHS No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

1 Mbit 64 k x 16 8 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44
ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v 3.6v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

8 Mbit 512 k x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 28 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Reel
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V 3.6V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 1

32 Mbit 2 M x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,4M x 16,70ns,1.7v 1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

70 ns SMD/SMT BGA-54 Reel
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,4M x 16,70ns,1.7v 1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

70 ns SMD/SMT BGA-54 Reel
ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,1.7v 1.95v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

8 Mbit 512 k x 16 70 ns Parallel 1.95 V 1.7 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel
ISSI SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 1M x 16,70ns,VDD 2.7V 3.6V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

16 Mbit 1 M x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Reel

ISSI SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,64K x 16,2.4V-3.6V (8ns),44 Pin TSOP II, RoHS No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
: 1.000

1 Mbit 64 k x 16 8 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 32Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

32 Mbit 8 M x 4 200 MHz SPI 1.95 V 1.65 V 75 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-24 Reel
ISSI SRAM 32Mb, QUADRAM, 2.7V-3.6V, 133MHz, 24-ball TFBGA, RoHS No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

32 Mbit 8 M x 4 133 MHz SPI 3.6 V 2.7 V 75 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-24 Reel
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 1.7V 1.95V, VDDQ 1.7V 1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

Reel

ISSI SRAM 4Mb,Low Power,Async,256K x 16,45ns,5v,44 Pin TSOP II, RoHS No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

4 Mbit 256 k x 16 45 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 22 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44
ISSI SRAM 64K,High-Speed,Async,8K x 8,10ns,5v,28 Pin TSOP I (8x13.4mm), RoHS No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 2.000
: 2.000

64 kbit 8 k x 8 10 ns Parallel 5.25 V 4.75 V 50 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-28 Reel
ISSI SRAM 3Mb,High-Speed,Async,128K x 24,8ns,3.3v,119 Ball PBGA (14x22 mm), RoHS No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 84
Múlt.: 84

3 Mbit 128 k x 24 8 ns Parallel 3.465 V 3.135 V 110 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119
ISSI SRAM 3Mb,High-Speed,Async,128K x 24,8ns,3.3v,119 Ball PBGA (14x22 mm), RoHS No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
: 1.000

3 Mbit 128 k x 24 8 ns Parallel 3.465 V 3.135 V 110 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Reel
ISSI SRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

64 Mbit 8 M x 8 200 MHz Serial 1.95 V 1.7 V - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-24 Reel
ISSI SRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

64 Mbit 8 M x 8 166 MHz Serial - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-24 Reel
ISSI SRAM 16Mb 1.65-2.2V 55ns 1Mx16 Async SRAM No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

16 Mbit 1 M x 16 55 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48
ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,1.7v 1.95v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 480
Múlt.: 480

8 Mbit 512 k x 16 70 ns Parallel 1.95 V 1.7 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48
ISSI SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Async,1M x 16,70ns,2.5v 3.6v,48 Ball BGA, RoHS No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

Reel

ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,55ns,1.65v 2.2v, 32 Pin TSOP (8x20 mm), RoHS No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 1.500
Múlt.: 1.500
: 1.500

TSOP-32 Reel
ISSI SRAM 8Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
: 3.000

8 Mbit 1 M x 8 7 ns 104 MHz SPI 1.95 V 1.65 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Reel
ISSI SRAM 16Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
: 3.000

16 Mbit 2 M x 8 7 ns 104 MHz SPI 1.95 V 1.65 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Reel