ISSI DRAM

Resultados: 1.824
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tipo
Tamaño de memoria
Anchura de bus de datos
Frecuencia máxima de reloj
Empaquetado / Estuche
Organización
Tiempo de acceso
Tensión del suministro - Mín
Tensión del suministro - Máx
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Serie
Empaquetado
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x36, Common I/O, 400MHz, RoHS, wBGA
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 104
Múlt.: 104

RLDRAM2 288 Mbit 36 bit 400 MHz WFCBGA-144 8 M x 36 1.7 V 2.63 V 0 C + 70 C IS49NLC36800
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x9, Common I/O, 400MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 104
Múlt.: 104

RLDRAM2 288 Mbit 9 bit 400 MHz WBGA-144 32 M x 9 1.7 V 2.63 V - 40 C + 85 C IS49NLC93200 Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x9, Common I/O, 300MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 104
Múlt.: 104

RLDRAM2 288 Mbit 9 bit 300 MHz WBGA-144 32 M x 9 1.7 V 2.63 V - 40 C + 85 C IS49NLC93200 Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x9, Common I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 104
Múlt.: 104

RLDRAM2 576 Mbit 9 bit 400 MHz WBGA-144 64 M x 9 1.7 V 2.63 V 0 C + 95 C IS49NLC96400A Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x9, Common I/O, 300MHz, RoHS, wBGA
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 104
Múlt.: 104

RLDRAM2 576 Mbit 9 bit 300 MHz WBGA-144 64 M x 9 1.7 V 2.63 V 0 C + 95 C IS49NLC96400A Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 104
Múlt.: 104

RLDRAM2 576 Mbit 18 bit 533 MHz WBGA-144 32 M x 18 1.7 V 2.63 V 0 C + 95 C IS49NLS18320A
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 104
Múlt.: 104

RLDRAM2 576 Mbit 18 bit 400 MHz FBGA-144 32 M x 18 1.7 V 2.63 V 0 C + 95 C IS49NLS18320A Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 300MHz, RoHS, wBGA
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 104
Múlt.: 104

RLDRAM2 576 Mbit 18 bit 300 MHz WBGA-144 32 M x 18 20 ns 1.7 V 2.63 V 0 C + 95 C IS49NLS18320A Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x9, Separate I/O, 400MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 104
Múlt.: 104

RLDRAM2 288 Mbit 9 bit 400 MHz WBGA-144 32 M x 9 1.7 V 2.63 V - 40 C + 85 C IS49NLS93200 Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x9, Separate I/O, 300MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 104
Múlt.: 104

RLDRAM2 288 Mbit 9 bit 300 MHz FBGA-144 32 M x 9 1.7 V 2.63 V - 40 C + 85 C IS49NLS93200 Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x9, Separate I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 104
Múlt.: 104

RLDRAM2 576 Mbit 9 bit 400 MHz WBGA-144 64 M x 9 1.7 V 2.63 V 0 C + 95 C IS49NLS96400A Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x9, Separate I/O, 300MHz, RoHS, wBGA
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 104
Múlt.: 104

RLDRAM2 576 Mbit 9 bit 300 MHz WBGA-144 64 M x 9 1.7 V 2.63 V 0 C + 95 C IS49NLS96400A Bulk
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 933Mhz, tRC=8ns, RoHS, Ind. Temp
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 119
Múlt.: 119

SDRAM - DDR 576 Mbit 18 bit 933 MHz BGA-168 32 M x 18 8 ns 1.28 V 1.42 V - 40 C + 95 C IS49RL18320 Tray
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 800Mhz, tRC=8ns, RoHS, Ind. Temp
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 119
Múlt.: 119

SDRAM - DDR 576 Mbit 18 bit 800 MHz BGA-168 32 M x 18 8 ns 1.28 V 1.42 V - 40 C + 95 C IS49RL18320 Tray
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x36, Common I/O, 1066Mhz, tRC=8ns, RoHS, Ind. Temp
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 119
Múlt.: 119

RLDRAM3 576 Mbit 36 bit 1.075 GHz BGA-168 16 M x 36 8 ns 1.28 V 1.42 V - 40 C + 95 C IS49RL36160 Tray
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x36, Common I/O, 800Mhz, tRC=8ns, RoHS, Ind. Temp
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 119
Múlt.: 119

SDRAM - DDR 576 Mbit 36 bit 800 MHz BGA-168 16 M x 36 8 ns 1.28 V 1.42 V - 40 C + 95 C IS49RL36160 Tray
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 143Mhz, Cu 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 1.500
Múlt.: 1.500
: 1.500

SDRAM 128 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 8 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS45S16800F Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +125C), 1G, 1.5V, DDR3 w/ ECC, 64Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 28 Semanas
Mín.: 1.500
Múlt.: 1.500
: 1.500

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 64 M x 16 1.425 V 1.575 V - 40 C + 125 C IS46TR16640ED Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 400Mhz @ CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, T&R
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz BGA-84 32 M x 16 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IS46DR16320C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 333Mhz @ CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, T&R
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 333 MHz BGA-84 32 M x 16 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 105 C IS46DR16320C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 400Mhz @ CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 209
Múlt.: 209

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz BGA-84 32 M x 16 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IS46DR16320C Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C),1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 400Mhz at CL5, 60 ball BGA, (8mmx10.5mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 242
Múlt.: 242

SDRAM - DDR2 1 Gbit 8 bit 400 MHz BGA-60 128 M x 8 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IS46DR81280B
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 136
Múlt.: 136

SDRAM Mobile - LPDDR4 8 Gbit 16 bit 1.866 GHz BGA-200 512 M x 16 3.5 ns 1.06 V, 1.7 V 1.17 V, 1.95 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 136
Múlt.: 136

SDRAM Mobile - LPDDR4 8 Gbit 16 bit 1.866 GHz BGA-200 512 M x 16 3.5 ns 1.06 V, 1.7 V 1.17 V, 1.95 V - 40 C + 105 C
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 136
Múlt.: 136

SDRAM Mobile - LPDDR4 8 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 512 M x 16 3.5 ns 1.06 V, 1.7 V 1.17 V, 1.95 V - 40 C + 95 C