ISSI DRAM

Resultados: 1.826
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tipo Tamaño de memoria Anchura de bus de datos Frecuencia máxima de reloj Empaquetado / Estuche Organización Tiempo de acceso Tensión del suministro - Mín Tensión del suministro - Máx Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Serie Empaquetado
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz @CL2 , 86 pin TSOP II, RoHS, IT, T&R No en almacén Plazo producción 6 Semanas
Mín.: 1.500
Múlt.: 1.500
: 1.500

SDRAM 512 Mbit 32 bit 133 MHz TSOP-II-86 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32160F Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz @CL2 , 86 pin TSOP II, RoHS T&R No en almacén Plazo producción 6 Semanas
Mín.: 1.500
Múlt.: 1.500
: 1.500

SDRAM 512 Mbit 32 bit 133 MHz TSOP-II-86 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32160F Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R No en almacén Plazo producción 6 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500
SDRAM 512 Mbit 32 bit 167 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32160F Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R No en almacén Plazo producción 6 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

SDRAM 512 Mbit 32 bit 167 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32160F Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II, RoHS, IT, T&R No en almacén Plazo producción 6 Semanas
Mín.: 1.500
Múlt.: 1.500
: 1.500

SDRAM 512 Mbit 32 bit 167 MHz TSOP-II-86 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32160F Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II, RoHS, T&R No en almacén Plazo producción 6 Semanas
Mín.: 1.500
Múlt.: 1.500
: 1.500

SDRAM 512 Mbit 32 bit 167 MHz TSOP-II-86 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32160F Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM 256 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 8 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32800J
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II RoHS, IT, T&R No en almacén Plazo producción 6 Semanas
Mín.: 1.500
Múlt.: 1.500
: 1.500

SDRAM 256 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-II-86 8 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32800J Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II RoHS, T&R No en almacén Plazo producción 6 Semanas
Mín.: 1.500
Múlt.: 1.500
: 1.500

SDRAM 256 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-II-86 8 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32800J Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz @ CL2, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM 256 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 8 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32800J Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz @ CL2, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

SDRAM 256 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 8 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32800J Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz @ CL2, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500
SDRAM 256 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 8 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32800J Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz @ CL2, 86 pin TSOP II RoHS No en almacén Plazo producción 6 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
SDRAM 256 Mbit 32 bit 133 MHz TSOP-II-86 8 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32800J
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz @ CL2, 86 pin TSOP II RoHS, IT No en almacén Plazo producción 6 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM 256 Mbit 32 bit 133 MHz TSOP-II-86 8 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32800J
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz @ CL2, 86 pin TSOP II RoHS, IT, T&R No en almacén Plazo producción 6 Semanas
Mín.: 1.500
Múlt.: 1.500
: 1.500

SDRAM 256 Mbit 32 bit 133 MHz TSOP-II-86 8 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32800J Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz @ CL2, 86 pin TSOP II RoHS, T&R No en almacén Plazo producción 6 Semanas
Mín.: 1.500
Múlt.: 1.500
: 1.500
SDRAM 256 Mbit 32 bit 133 MHz TSOP-II-86 8 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32800J Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

SDRAM 256 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 8 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32800J Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

SDRAM 256 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 8 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32800J Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R No en almacén Plazo producción 6 Semanas
Mín.: 1.500
Múlt.: 1.500
: 1.500

SDRAM 256 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S83200J Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R No en almacén Plazo producción 6 Semanas
Mín.: 1.500
Múlt.: 1.500
: 1.500

SDRAM 256 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S83200J Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 143MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R No en almacén Plazo producción 6 Semanas
Mín.: 1.500
Múlt.: 1.500
: 1.500

SDRAM 256 Mbit 8 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S83200J Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 143MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R No en almacén Plazo producción 6 Semanas
Mín.: 1.500
Múlt.: 1.500
: 1.500

SDRAM 256 Mbit 8 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S83200J Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 64Mx8, 166Mhz, 54 pin TSOP II RoHS No en almacén Plazo producción 6 Semanas
Mín.: 108
Múlt.: 108

SDRAM 512 Mbit 8 bit 167 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S86400F Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 64Mx8, 166Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, IT, T&R No en almacén Plazo producción 6 Semanas
Mín.: 1.500
Múlt.: 1.500
: 1.500

SDRAM 512 Mbit 8 bit 167 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S86400F Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 64Mx8, 166Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, T&R No en almacén Plazo producción 6 Semanas
Mín.: 1.500
Múlt.: 1.500
: 1.500

SDRAM 512 Mbit 8 bit 167 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S86400F Reel