PJX138KR100001 MOSFET

Resultados: 5
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Empaquetado
Panjit MOSFET 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
Hoja de datos
27.187En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 4.000

Si SMD/SMT SOT-563-6 N-Channel 2 Channel 50 V 350 mA 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 630 pC - 55 C + 150 C 223 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFET SOT563 N-CH 50V .35A
Hoja de datos
N/A

Si SMD/SMT SOT-563-6 N-Channel 2 Channel 50 V 350 mA 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 630 pC - 55 C + 150 C 223 mW Enhancement
Panjit MOSFET 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 40 Semanas
Mín.: 10.000
Múlt.: 10.000
Bobina: 10.000

Si SMD/SMT SOT-563-6 N-Channel 2 Channel 50 V 350 mA 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 630 pC - 55 C + 150 C 223 mW Enhancement Reel
Panjit MOSFET 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 40 Semanas
Mín.: 8.000
Múlt.: 8.000
Bobina: 8.000

Si SMD/SMT SOT-563-6 N-Channel 2 Channel 50 V 350 mA 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 630 pC - 55 C + 150 C 223 mW Enhancement Reel
Panjit MOSFET 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 40 Semanas
Mín.: 4.000
Múlt.: 4.000
Bobina: 4.000

Si SMD/SMT SOT-563-6 N-Channel 2 Channel 50 V 350 mA 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 630 pC - 55 C + 150 C 223 mW Enhancement Reel