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B82804E0164A200

Name: TDK B82804E0164A200
Brand: EPCOS / TDK
SKU: 871-B82804E0164A200
Price: 4.35 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

871-B82804E0164A200

Fabr. N.º:

B82804E0164A200

Fabr.:

EPCOS / TDK

Descripción:

Transformadores de potencia Half Bridge, Turns Ratio 1 : 28 : 1.53, EP9 IGBT Gate Drive Transformer

Ciclo de vida:

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B82804E0164A200 Hoja de datos (PDF)

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	4,35 €	4,35 €
	3,48 €	34,80 €
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250	Cotización

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	TDK
Categoría de producto:	Transformadores de potencia
RoHS:
Producto:	Power Transformers
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Bobinado primario:	Single Primary Winding
Bobinado secundario:	Dual Secondary Winding
Longitud:	11.45 mm
Anchura:	10.7 mm
Altura:	10.55 mm
Serie:	EP9
Marca:	EPCOS / TDK
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Inductancia:	260 uH
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Frecuencia de operación:	100 kHz to 400 kHz
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Tipo de producto:	Power Transformers
Cantidad del paquete de fábrica:	250
Subcategoría:	Transformers
Estilo de terminación:	SMD/SMT
Relación de transformación:	1:2.8:1.53
Tipo:	Half Bridge

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USHTS:: 8504312000
JPHTS:: 850431000
ECCN:: EAR99

Transformadores de accionamiento de compuertas EP9 IGBT

EPCOS/TDK EP9 IGBT Gate Drive Transformers are compact devices built on an MnZn ferrite core with an SMD L-pin construction.These transformers offer excellent insulation, minimal coupling capacitance, and high thermal resilience. The EP9 IGBT gate drive transformers support half-bridge or push-pull topologies. These transformers feature a 2pF low coupling capacity and ≥5mm clearance distance (cumulative and core floating). The EP9 IGBT gate drive transformers operate within the 100kHz to 400kHz frequency range and -40°C to 150°C temperature range. These transformers are RoHS compliant and AEC-Q200 qualified. The EP9 IGBT gate drive transformers are designed specifically for IGBT and FET gate driver circuits. Typical applications include isolated DC-DC converters, isolated AC-DC converters, and gate driver circuits.